[发明专利]存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

说明书

本发明提供一种存储器管理方法，包括：读取实体单元，并更新所述实体单元的读取次数；在所述更新的读取次数不小于读取次数阀值时扫描所述实体单元；以及根据读取次数及读错比特调整所述读取次数阀值。藉此，可判断需要进行扫描的数据单元，以减少不必要的数据扫描。

技术领域

本发明涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

背景技术

数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatilememory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

在存储器管理技术中，当主机系统对存储器存储装置中同一数据单元的读取次数超过一定数量后，可能会导致数据单元中存储的数据不稳定，因此需要对数据单元进行扫描检查，以确定数据单元是否需要更新。然而，若状况良好的数据单元经常被扫描将影响存储器的效能。或者，状况不好的数据单元未被及时扫描并将数据搬移，可能会造成数据丢失。因此需要准确的判断需要进行数据扫描的数据单元。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可判断需要进行数据扫描的数据单元。

本发明的范例实施例提供一种存储器管理方法，用于存储器存储装置，且所述存储器管理方法包括：读取实体单元，并更新所述实体单元的读取次数；在所述更新的读取次数不小于读取次数阀值时扫描所述实体单元；以及根据所述读取次数及读错比特调整所述读取次数阀值。

在本发明的一范例实施例中，根据所述读取次数及所述读错比特调整所述读取次数阀值的步骤包括：根据所述实体单元的读错比特阀值及最大读错比特决定第一读错相关因素。

在本发明的一范例实施例中，根据所述读取次数及所述读错比特调整所述读取次数阀值的步骤包括：根据先前读取次数阀值、预设读取次数阀值及所述第一读错相关因素决定所述读取次数阀值。

在本发明的一范例实施例中，所述存储器管理方法包括：根据所述实体单元的抹除次数决定所述预设读取次数阀值。

在本发明的一范例实施例中，读取所述实体单元，并更新所述实体单元的所述读取次数的步骤还包括：取得所述实体单元的所述读错比特。

在本发明的一范例实施例中，在所述更新的读取次数不小于所述读取次数阀值阀值时扫描所述实体单元的步骤包括：若所述读错比特大于读错比特阀值，则将所述实体单元中的数据复制至另一实体单元；以及若所述读错比特不大于所述读错比特阀值，则记录所述更新的读取次数。

在本发明的一范例实施例中，取得所述实体单元的所述读错比特的步骤还包括：若所述读错比特大于最大读错比特，根据所述读错比特更新所述最大读错比特。

在本发明的一范例实施例中，所述方法还包括：根据所述实体单元的读错比特阀值及所述更新的最大读错比特决定第二读错相关因素；根据先前读取次数阀值、预设读取次数阀值及所述第二读错相关因素决定更新的读取次数阀值；以及在所述更新的读取次数不小于所述更新的读取次数阀值时扫描所述实体单元。

本发明的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块以及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以耦接至主机系统。所述存储器控制电路单元耦接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以读取所述实体单元，并更新所述实体单元的读取次数。所述存储器控制电路单元还用以在所述更新的读取次数不小于所述读取次数阀值时扫描所述实体单元。并且所述存储器控制电路单元还用以根据所述读取次数及读错比特调整所述读取次数阀值。