[发明专利]一种晶圆抛光装置及方法

说明书

本发明公开了一种晶圆抛光装置及方法，该晶圆抛光装置包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽，在晶圆抛光过程中，所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上；所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。实现了延长晶圆抛光装置的使用寿命，又可提高晶圆的平整度，抛光过程简单易行等效果。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆抛光装置及方法。

背景技术

半导体产业是现代电子工业的核心，目前，90％以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits，ULSI)都是制作在高纯度优质的单晶抛光片和外延片上。因此，制作晶圆工艺中获得表面微缺陷极小、平坦度高的晶圆尤为重要。

抛光工序是将晶圆加工成指定厚度并提高晶圆平整度所需的工序，使用抛光晶圆的抛光装置进行。目前抛光加工技术中，不同厚度的晶圆，需选用不同槽深的抛光载具，抛光载具使用具有一定的周期和寿命，使用后期晶圆的平整度有所下降，而且抛光载具的使用寿命也变短，增加了抛光加工工艺过程中的成本。

发明内容

本发明实施例提供一种晶圆抛光装置及方法，以延长晶圆抛光装置的使用寿命，又可提高晶圆的平整度，抛光过程简单易行。

第一方面，本发明实施例提供了一种晶圆抛光装置，该晶圆抛光装置包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽，在晶圆抛光过程中，所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上。

所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。

可选的，所述厚度可调抛光垫片的厚度小于所述抛光载具槽的深度。

可选的，在晶圆抛光过程中，所述晶圆包括位于所述抛光载具槽内的第一晶圆分部和超出所述抛光载具槽的第二晶圆分部。

所述第二晶圆分部的厚度h32满足70μm≤h32≤130μm。

可选的，所述厚度可调抛光垫片的厚度h2满足h2＝h32+h1-h3，70μm+h1-h3≤h2≤130μm+h1-h3。

可选的，所述抛光载具槽的槽深固定，所述所述抛光载具槽的槽深h1满足1200μm≤h1≤1400μm。

可选的，所述晶圆抛光装置还包括抛光绒布，在晶圆抛光过程中，所述抛光绒布设置于抛光载具槽内且位于所述厚度可调抛光垫片与所述晶圆之间。

所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2、所述晶圆的厚度h3以及所述抛光绒布的厚度h4满足，其中，h2+h3+h4>h1。

可选的，所述抛光绒布的厚度固定，所述抛光绒布的厚度h4满足600μm≤h4≤620μm。

可选的，所述抛光载具可旋转。

第二方面，本发明实施例还提供了一种晶圆抛光方法，采用晶圆抛光装置对晶圆进行抛光，所述晶圆抛光装置包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽。

所述晶圆抛光方法包括：

确定待抛光的晶圆并获取所述晶圆的厚度；

根据所述晶圆的厚度和所述抛光载具槽的槽深确定所述厚度可调抛光垫片的厚度；其中，所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1；