[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板的制备方法包括：在基底上形成绝缘挡墙，绝缘挡墙通过从基底的背离形成绝缘挡墙的一侧曝光形成；形成绝缘挡墙之前还包括：形成遮光层的图形。该阵列基板的制备方法，通过从基底的背离形成绝缘挡墙的一侧曝光形成绝缘挡墙，能够避免绝缘挡墙与像素电极边缘产生覆叠，从而使显示开口率不会遭受损失；通过在形成绝缘挡墙之前形成遮光层的图形，能够确保绝缘挡墙的图形通过背面曝光正常形成，从而避免相邻像素之间产生的电场相互干扰所导致的显示串扰现象，提升了阵列基板的品质。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着薄膜场效应晶体管液晶显示(TFT-LCD Display)技术的发展和工业技术的进步，高分辨率(PPI)液晶显示器越来越受到人们的欢迎。

随着高分辨率(PPI)液晶显示器的发展，显示器中像素与像素之间的间距越来越小，基本已经小于1um。在这种情况下，像素之间产生的电场会发生相互干扰以致产生显示串扰现象，这是实现高分辨率显示的最大障碍之一。为了改善这一现象，在像素与像素之间需要形成减少电场干扰的绝缘墙。

通常，绝缘墙通过纳米压印光刻(Nano Imprinting Lithography)的工艺形成，纳米压印光刻工艺形成绝缘墙必须具有高分辨率的准确对位能力，否则，会使形成的绝缘墙与像素边缘产生覆叠(Overlay)，使显示器的显示开口率遭受损失。

发明内容

本发明针对现有纳米压印光刻工艺形成的绝缘墙与像素边缘覆叠导致显示器开口率损失的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板的制备方法能够避免绝缘挡墙与像素电极边缘产生覆叠，从而使显示开口率不会遭受损失；还能确保绝缘挡墙的图形能够正常形成，从而避免相邻像素之间产生的电场相互干扰所导致的显示串扰现象，提升了阵列基板的品质。

本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括：在基底上形成绝缘挡墙，所述绝缘挡墙通过从所述基底的背离形成所述绝缘挡墙的一侧曝光形成；形成所述绝缘挡墙之前还包括：形成遮光层的图形。

可选地，形成所述遮光层之前还包括：在所述基底上形成透光的所述像素电极的图形；所述遮光层与所述像素电极的图形在所述基底上的正投影完全重合。

可选地，形成所述绝缘挡墙之后还包括：去除所述遮光层。

可选地，所述遮光层复用作所述阵列基板的像素电极。

可选地，所述遮光层采用遮光金属材料。

可选地，所述绝缘挡墙采用溴化聚苯乙烯、光刻胶、氮化硅、氧化硅中的任意一种材料。

可选地，所述溴化聚苯乙烯或所述光刻胶材料的所述绝缘挡墙通过曝光、显影工艺形成；

所述氮化硅或所述氧化硅材料的所述绝缘挡墙通过曝光、显影、干法刻蚀的工艺形成。

可选地，形成透光的所述像素电极的图形包括：沉积形成非结晶氧化铟锡材料的像素电极膜；

采用曝光工艺对所述像素电极膜进行处理，形成所述像素电极的图形；

对所述像素电极进行退火处理，使非结晶氧化铟锡材料转化为结晶的氧化铟锡材料。

可选地，所述遮光层采用铝、铜、钼中的任意一种材料。

本发明还提供一种采用上述制备方法制备的阵列基板，包括基底，设置在所述基底上的像素电极和绝缘挡墙，所述像素电极排布呈阵列，所述绝缘挡墙设置于相邻所述像素电极之间的间隔区域。

可选地，所述像素电极采用透光材料或者遮光材料。

可选地，相邻所述像素电极之间的间距小于1μm。