[发明专利]一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在SrTiO₃基底上，采用脉冲激光沉积的方法依次沉积SrAlO₃、BaTiO₃，采用旋涂工艺在BaTiO₃上制备聚偏氟乙烯(PVDF)膜，采用磁控溅射的方法在PVDF膜上沉积Au作为底电极；

步骤2，在Si基底上，采用流延工艺制备厚度为20μm的PVDF膜；

步骤3，采用热压工艺将SrTiO₃基底有Au面和Si基底PVDF面压合，放到去离子水浸泡将SrAlO₃溶解，得以将BaTiO₃以上的膜全部转移到Si基底上；

步骤4，在BaTiO₃上采用旋涂工艺制备PVDF膜，再采用磁控溅射技术在PVDF上沉积Au作为顶电极，得到三明治结构复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，脉冲激光的能量为1.5W～1.6W，频率为3Hz～4Hz，SrAlO₃和BaTiO₃沉积温度为700℃～800℃，氧压为15Pa～30Pa，靶基距为4.5cm～5.5cm，时间为10min～20min。

3.根据权利要求1所述的一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，PVDF溶胶的浓度为0.1g/ml～0.2g/ml，溶剂为N，N-二甲基甲酰胺(DMF)，凃速率为2000～3000rpm。

4.根据权利要求1所述的一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，磁控溅射Au的时间为10min～20min，电流为5mA～10mA。

5.根据权利要求1所述的一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，PVDF溶胶的浓度为0.1g/ml～0.2g/ml，溶剂为N，N-二甲基甲酰胺。

6.根据权利要求1所述的一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，热压的温度为150℃～200℃，时间为20min～30min，浸泡时间为18h～24h。

7.根据权利要求1所述的一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，PVDF溶胶的浓度为0.1g/ml～0.2g/ml，溶剂为N，N-二甲基甲酰胺，旋涂速率为2000～3000rpm。

8.根据权利要求1所述的一种三明治结构介电储能复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，磁控溅射Au的时间为10min～20min，电流为5mA～10mA。