[发明专利]一种显示基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201911311588.1 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN110993672B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 杨永青;张青;黄甫升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及其制备方法和显示装置。该显示基板包括基底,设置在基底上的像素界定层和发光单元,还包括设置在像素界定层和发光单元背离基底侧的触控电极;发光单元位于像素界定层所界定的区域内,发光单元包括依次远离基底设置的阳极、发光功能层和阴极;触控电极包括驱动电极、感应电极以及驱动电极与感应电极空间交叉形成的桥点,桥点位于像素界定层所在区域,桥点和阴极在基底上的正投影覆盖显示基板的整个显示区域,且桥点和阴极能对发光功能层发出的光线进行镜面反射。该显示基板能实现镜面显示,且相对于现有的镜面显示屏,无须再额外设置镜面反射层,简化了生产工艺并降低了生产成本。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
镜面显示屏是一种既有镜面反射功能,又有正常显示功能的显示屏。通常来说,可以在面板下方涂覆一层金属膜,利用金属膜的反射来实现镜面效果。
但是金属膜等镜面反射层需要额外单独制作,生产工艺复杂且制备成本高。
发明内容
本发明针对现有镜面显示屏的镜面反射层需要额外单独制作,生产工艺复杂且制备成本高的问题,提供一种显示基板及其制备方法和显示装置。该显示基板,通过使触控电极的桥点和发光单元的阴极对发光功能层发出的光线进行镜面反射,使该显示基板能实现镜面显示,相对于现有的镜面显示屏,该显示基板通过使其中固有的桥点和阴极作为镜面反射层,无须再额外设置镜面反射层,简化了生产工艺并降低了生产成本。
本发明提供一种显示基板,包括基底,设置在所述基底上的像素界定层和发光单元,还包括设置在所述像素界定层和所述发光单元背离所述基底侧的触控电极;所述发光单元位于所述像素界定层所界定的区域内,所述发光单元包括依次远离所述基底设置的阳极、发光功能层和阴极;所述触控电极包括驱动电极、感应电极以及所述驱动电极与所述感应电极空间交叉形成的桥点,所述桥点位于所述像素界定层所在区域,所述桥点和所述阴极在所述基底上的正投影覆盖所述显示基板的整个显示区域,且所述桥点和所述阴极能对所述发光功能层发出的光线进行镜面反射。
可选地,所述桥点和所述阴极对所述发光功能层发出光线的反射率范围均为90%-98%。
可选地,所述桥点采用铝合金、金、铜、钼、银、银钼合金中的任意一种材料;
所述阴极采用铝合金、金、铜、钼、银、银钼合金中的任意一种材料。
可选地,所述阴极背离所述基底的一侧还设置有平坦化层,所述平坦化层在对应所述像素界定层的位置设置有凹陷,所述桥点设置于所述凹陷中,且所述桥点的反射面和所述阴极的反射面位于同一平面上。
可选地,所述像素界定层采用黑矩阵光阻胶材料。
可选地,所述桥点在所述基底上的正投影面积大于或等于所述像素界定层在所述基底上的正投影面积。
可选地,所述桥点的表面电阻<24ohm/sq。
本发明还提供一种上述显示基板的制备方法,包括:在基底上先后形成像素界定层和发光单元,然后形成触控电极;形成所述发光单元包括先后形成阳极、发光功能层和阴极的步骤;形成所述触控电极包括在所述显示基板的显示区形成驱动电极、感应电极以及在所述像素界定层所在区域形成桥点的步骤,所述桥点和所述阴极采用能使所述发光功能层发出的光线发生镜面反射的反射材料。
可选地,在形成所述像素界定层和所述发光单元之后,且在形成所述触控电极之前还包括:
形成平坦化层的步骤,形成所述平坦化层包括在对应所述像素界定层的位置形成凹陷的图形。
本发明还提供一种显示装置,包括上述显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的