[发明专利]一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备有效
申请号: | 201911311738.9 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN110970332B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 陈家辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市凯新达电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人: | 王金刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二氧化硅 矿石 原料 集成电路 晶片 检测 设备 | ||
本发明涉及晶片检测技术领域,且公开了一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备,包括传送带,所述传送带的表面固定连接有支撑架,支撑架的表面固定连接有镜头,支撑架的内部活动连接有扇叶,扇叶的表面固定连接有转轴,支撑架的内部且位于扇叶远离转轴的一侧固定连接有检测机构,所述检测机构包括滑动体。气流从阻隔块表面喷出,并吹动在传送带表面的晶体上,因晶体的面积大于检测机构之间的距离,所以晶体表面会均匀受到气流的支撑力,而处于支撑架上部检测机构也喷出同样均匀度的气流,晶体从而不再与传送带接触,上下两侧的检测镜头照射在晶体表面,从而达到了不接触晶体表面便可进行检测的效果。
技术领域
本发明涉及晶片检测技术领域,具体为一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备。
背景技术
在一般的半导体工艺中,当晶圆表面形成多个芯片后,通常会继续对芯片进行点测、检测与分类等工艺;且检测工艺主要是利用检测镜头来扫描芯片,并依据撷取到的影像来判断芯片本身是否存在有缺陷。
检测的过程中,需将晶片放置在载物台上,且载物台的平整度要求较高,因晶片为紧密部件,稍有偏差便会影响其检测的结果,双向检测是检测晶片常用的手段,通过夹持机构夹住晶圆的外缘,由于晶圆仅外缘受到支撑,中央处并未受到支撑,故晶圆的中央处会略为下凹,使得晶圆不再呈平坦而会影响检测品质。
此外硅晶片在生产过程中往往存在尺寸不合格和崩边、隐裂等外观缺陷,现有的检测设备将其检测出来之后,并没有相应的分拣机构,导致不合格的产品与合格产品混在一起,需人工或机器再次分拣,费时费力,因此一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备应运而生。
发明内容
为实现上述不接触检测、检测后分拣的目的,本发明提供如下技术方案:一种以二氧化硅矿石为原料的集成电路用晶片检测设备,包括传送带,所述传送带的表面固定连接有支撑架,支撑架的表面固定连接有镜头,支撑架的内部活动连接有扇叶,扇叶的表面固定连接有转轴,支撑架的内部且位于扇叶远离转轴的一侧固定连接有检测机构,所述检测机构包括滑动体,滑动体的内部滑动连接有阻隔块,阻隔块的表面固定连接有通气管,通气管远离阻隔块的一端固定连接有分流管,分流管远离通气管的一端固定连接有弹性杆。
本发明的有益效果是:
1.通过将待检测的晶片放置在传送带上,启动驱动部件产生气体,气流流出支撑架内部并吹动扇叶旋转,扇叶带动转轴和滚轮转动,带动传送带将晶片运转起来,与此同时,根据待检测晶片的重量转动轴套,调节从分流管流入通气管内的气流,气流从阻隔块表面喷出,并吹动在传送带表面的晶体上,因晶体的面积大于检测机构之间的距离,所以晶体表面会均匀受到气流的支撑力,而处于支撑架上部检测机构也喷出同样均匀度的气流,晶体从而不再与传送带接触,上下两侧的检测镜头照射在晶体表面,从而达到了不接触晶体表面便可进行检测的效果。
2.通过上述气流从检测机构内喷流在晶体的表面,因晶体的顶部和底部均受到流速和大小均相同的气流才能保持其平衡,若晶体表面有崩边的现象,则会导致其受力不均匀,而向一边偏移,最终从落入口掉落下来,从而达到了检测时分拣出有崩边晶片的效果。
3.通过上述气流喷流在晶体的表面,若此时晶体表面带有杂质,在上下通气管内气流的作用下,其表面的杂质会被吹落在阻隔块表面,不会掉落进去,从而达到了防止出现因堵塞而使其受力不均匀的效果。
4.通过上述气流从检测机构内喷流在晶体的表面,因喷出的气流具有一定的流速,对晶体起到支撑的同时,晶体表面也受到较强的冲击力,若晶体表面有隐痕,肉眼不易观察出来,但经气流冲击便会暴露出来,暴露后其受气流的力不再稳定,从而达到了检测时分拣出有隐痕晶片的效果。
优选的,所述弹性杆的表面套接有轴套,轴套的表面开设有气孔,气孔起到调节气体流速的效果。
优选的,所述转轴的表面套接有滚轮,便于带动传送带运转。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市凯新达电子有限公司,未经深圳市凯新达电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911311738.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种直流能源路由器
- 下一篇:一种灌溉专用永磁发电机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造