[发明专利]一种高质量砷化镉薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)采用分子束外延技术，先在衬底上生长一层碲化镉缓冲层，之后在碲化镉缓冲层上生长砷化镉薄膜；

2)采用原子层沉积技术，在步骤1)中的砷化镉薄膜上生长一层氧化铝覆盖层；

3)采用快速退火技术，在0.5-3min内将温度升高至550-650℃并保持3-7min，之后降至室温，得到高质量砷化镉薄膜；

步骤1)中，生长砷化镉薄膜时，温度为100-180℃；

步骤3)中，快速退火过程在惰性环境中进行。

2.根据权利要求1所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述的衬底为云母衬底或蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述的衬底预先采用机械剥离方式进行处理，得到平整清洁的解理面。

4.根据权利要求1所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，生长碲化镉缓冲层时，温度为180-240℃，碲化镉缓冲层的厚度为10-20nm。

5.根据权利要求1所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中，砷化镉薄膜的厚度≥3nm。

6.根据权利要求1所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，生长氧化铝覆盖层时，温度为130-150℃，氧化铝覆盖层的厚度为120-150nm。

7.根据权利要求6所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，所述的氧化铝覆盖层的生长速率为25-35nm/h。

8.根据权利要求1所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中，原子层沉积过程中，前驱体源为三甲基铝与水。

9.根据权利要求1所述的一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)中，利用压缩空气将温度降至室温。