[发明专利]一种还原炉底盘结构

说明书

本发明涉及一种还原炉底盘结构，包括底盘主体(1)、从内到外依次布置在底盘主体(1)上的若干组硅棒(2)，以及布置在底盘主体(1)上的进气口(3)和出气口(4)，每组硅棒(2)由多对硅棒(2)围成一个同心圆，任意相邻两组硅棒之间的间距相等，并记为S_A，同一组硅棒(2)中，任意一对硅棒(2)的两个硅棒(2)的间距记为S_B，分别处于不同对硅棒(2)的任意相邻两个硅棒(2)的间距记为S_C，且S_B不等于S_C。与现有技术相比，本发明通过控制同心圆间距相等，使得层间硅棒相互辐射距离相近，从而使得每根硅棒周围相互辐射热相互接近，同时采用进出气均匀分布的方式，保证温度场和流场的均匀，并且解决了大炉型的布棒尺寸大的问题。

技术领域

本发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其是涉及一种还原炉底盘结构。

背景技术

随着多晶硅生产工艺的不断更新完善，配套技术、设备的不断完善，多晶硅生产装备—还原炉不断朝着大型化发展；光伏市场的广阔前景与日益竞争激烈的多晶硅行业，也迫使着多晶硅产量的不断提高。因此大型还原炉是未来发展的必然趋势，而随着大型还原炉的发展，内部温场、流场的均匀问题更加凸显出来。传统还原炉的底盘一般是采用均匀布棒的方式，即所有硅棒分为多个同心圆的方式布置在底盘上，处于任一相同同心圆上的相邻两个硅棒的间距都相等，这种布棒方式必须要满足不同同心圆的间距从内到外不断增大才能满足还原炉内均匀进气的需求，从而使得同样大小内的还原炉内的硅棒布置数量等大大受限，进而造成单炉产量偏低，单位产品耗能大。与此同时，近年来多晶硅行业的竞争愈演愈烈，新旧产能淘汰日益残酷，因此低能耗高品质的大型还原炉需求已经日益迫切。

发明内容

本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种还原炉底盘结构。

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：

一种还原炉底盘结构，包括底盘主体、从内到外依次布置在底盘主体上的若干组硅棒，以及布置在底盘主体上的进气口和出气口，每组硅棒由多对硅棒围成一个同心圆，任意相邻两组硅棒之间的间距记为S_A，同一组硅棒中，任意一对硅棒的相邻两个硅棒的间距记为S_B，分别处于不同对硅棒的任意相邻两个硅棒的间距记为S_C，各组硅棒(2)的S_A均相等，各组硅棒(2)的S_B值也相等，且S_B≤S_C，S_B＜S_A。

进一步的，S_B与S_A的差值5mm～60mm。

进一步的，各组硅棒的S_B相等。

进一步的，硅棒间距的设置上使得S_B≤S_C，且S_C不相等。

进一步的，任意相邻两组硅棒之间的间距记为S_A大于硅棒间距S_B。

进一步的，不同组硅棒中，位于最外侧的一组硅棒的Sc值与最内侧的硅棒的Sc值小于其余中间位置的各组硅棒的Sc值，即如图1中的Sc₅、S_C1＜S_C4/S_C3/S_C2。

进一步的，不同组硅棒中，位于最外侧的一组硅棒的Sc值与最内侧的硅棒的Sc值等于每对硅棒间距S_B，即如图1中的Sc₁＝S_C5＝S_B。

进一步的，位于最外侧的一组硅棒同心圆与设备内壁的距离(即如图1中的S_D)≥300mm。