[发明专利]一种基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器的构筑及应用

权利要求书

1.一种基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器的制备方法，包括以下工艺步骤：

（1）含Poly-C的双嵌段DNA-氧化石墨烯复合物的制备：将含有15个重复的胞嘧啶序列和卡那霉素适配体序列的双嵌段DNA与氧化石墨烯混合，加入到pH=7.5的缓冲溶液中，于室温下反应10~12h，离心，洗涤，得到含Poly-C的双嵌段DNA-氧化石墨烯复合物；

（2）多壁碳纳米管在玻碳电极上的修饰：将酸化的多壁碳纳米管超声分散在壳聚糖溶液中，采用滴涂法将其滴涂于玻碳电极表面，自然晾干；

（3）含Poly-C双嵌段DNA-氧化石墨烯复合物的固定：将步骤（1）制备的含Poly-C的双嵌段DNA-氧化石墨烯复合物滴涂在步骤（2）制备的修饰玻碳电极表面，于0~4℃条件下密封进行干燥；

（4）牛血清白蛋白的修饰：将质量百分数为1~2%的牛血清白蛋白滴加到步骤（3）制备的修饰玻碳电极表面，在室温下孵育1~2h，即得双嵌段DNA电化学适配体传感器。

2.如权利要求1所述一种基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，氧化石墨烯与含Poly-C的双嵌段DNA序列的质量比为1:0.1~1:0.11。

3.如权利要求1所述一种基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，缓冲溶液组分为：120~150 mM NaCl，0.8~1 mM MgCl₂，20~25 mM HEPES。

4.如权利要求1所述一种基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，壳聚糖的质量百分数为0.5~1%；酸化的多壁碳纳米管分散在壳聚糖溶液中的浓度为1~2mg/mL。

5.如权利要求1所述一种基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，多壁碳纳米管的酸化：将多壁碳纳米管加入浓硫酸与浓硝酸的混合溶液中，于55~60℃加热搅拌6~8h，过滤，洗涤，干燥，即得酸化的多壁碳纳米管；浓硝酸与浓硫酸的体积比为1:1~1:3。

6.如权利要求1所述方法制备的基于 双嵌段DNA的 电化学适配体传感器在检测卡那霉素中的应用。

7.如权利要求6所述基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器在检测卡那霉素中的应用，其特征在于：电化学工作站电压为-0.1~0.4V的条件下，在含有5.0 mM [Fe(CN)6]^3-/4-和0.1M KCl的浓度为0.2 M，pH =7.4的磷酸缓冲液中，采用微分脉冲伏安法进行检测：电流在卡那霉素浓度为0.05 pM ~100 nM范围内与卡那霉素浓度的对数值呈现良好的线性关系。

8.如权利要求7所述基于双嵌段DNA的电化学适配体传感器在检测卡那霉素中的应用，其特征在于：电流与卡那霉素浓度的对数值的线性回归方程如下：

I = -130.466+3.089 lgC(R²=0.997)

I——电流，单位：μA

C——卡那霉素浓度，单位：pM。