[发明专利]一种脉宽频率可调节CMOS环形振荡器在审

专利信息
申请号: 201911312654.7 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN110943713A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 王婉;康娜;王龙;王敏敏 申请(专利权)人: 西安航天民芯科技有限公司
主分类号: H03K3/037 分类号: H03K3/037;H03K3/013;H03K3/01;H03K3/017
代理公司: 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 代理人: 刘伟
地址: 710000 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽频 调节 cmos 环形 振荡器
【权利要求书】:

1.一种脉宽频率可调节CMOS环形振荡器,其特征在于,包含反相输出型施密特触发器以及与之连接的输出级电路。

2.如权利要求1所述的一种脉宽频率可调节CMOS环形振荡器,其特征在于,所述反相输出型施密特触发器包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、输入端、输出端;

所述第一P型MOS管的源极、第三P型MOS管的源极、第四P型MOS管的源极与电源相连;

所述第一P型MOS管的栅极、第二P型MOS管的栅极、第一N型MOS管的栅极、第二N型MOS管的栅极与输入端连接;

所述第一P型MOS管的漏极、第二P型MOS管的源极与第三P型MOS管MP3的漏极连接;

所述第二P型MOS管的漏极、第四P型MOS管的栅极、第二N型MOS管MN2的漏极与第四N型MOS管的栅极连接;

所述第三P型MOS管的栅极、第四P型MOS管的漏极、第三N型MOS管的栅极、第四N型MOS管的漏极与输出端连接;

所述第一N型MOS管的漏极、第二N型MOS管的源极与第三N型MOS管的漏极连接;

所述第一N型MOS管的源极、第三N型MOS管的源极、第四N型MOS管的源极与地连接。

3.如权利要求2所述的一种脉宽频率可调节CMOS环形振荡器,其特征在于,所述输出级电路包含第五N型MOS管、第六N型MOS管、第一电阻、第二电阻、第一反相器、第一反相器、第一反相器、三输入与门、两输入与门;

所述第一反相器的输入端、第三反相器的输入端、三输入与门的输入端与施密特触发器的输出端连接;

所述第一反相器的输出端与第一电阻的一端连接;

所述第一电阻的另一端、第五N型MOS管的栅极均与第二反相器的输入端连接;

所述第二反相器的输出端与三输入与门的输入端连接;

所述第三反相器的输出端与两输入与门的输入端连接;

所述两输入与门的输出端与第二电阻的一端连接;

所述第二电阻的另一端、第六N型MOS管的栅极与施密特触发器的输入端连接;

所述第五N型MOS管的漏极、第五N型MOS管的源极、第六N型MOS管的漏极、第六N型MOS管的源极均与地连接。

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