[发明专利]应变补偿型量子级联探测器

权利要求书

1.一种应变补偿型量子级联探测器，包括：

衬底；

下接触层，外延生长于衬底之上；

周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；

上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；

下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及

上接触电极，位于上接触层的表面；

其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区、弛豫区；

所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；

所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料；

所述衬底为磷化铟，所述势垒层为铟铝砷，其中Al组分变化范围在0.48-1之间；所述势阱层为铟镓砷，其中Ga组分变化范围在0.47-0之间，通过改变势垒层组分，使得势垒加高获得高势垒。

2.一种应变补偿型量子级联探测器，包括：

衬底；

下接触层，外延生长于衬底之上；

周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；

上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；

下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及

上接触电极，位于上接触层的表面；

其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区、弛豫区；

所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；

所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料；

所述衬底为磷化铟，弛豫区势垒层为铟镓磷，其中Ga组分变化范围在0-1之间；弛豫区势阱层为铟砷磷，As组分变化范围在0-1之间，通过改变势垒层组分，使得势垒加高获得高势垒。

3.一种应变补偿型量子级联探测器，包括：

衬底；

下接触层，外延生长于衬底之上；

周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；

上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；

下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及

上接触电极，位于上接触层的表面；

其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区、弛豫区；

所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；

所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料；

所述衬底为磷化铟，弛豫区势垒层为铟镓磷，其中Ga组分变化范围在0-1之间；弛豫区势阱层为铟镓砷，Ga组分变化范围在0.47-0之间，通过改变势垒层组分，使得势垒加高获得高势垒。

4.一种应变补偿型量子级联探测器，包括：

衬底；

下接触层，外延生长于衬底之上；

周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；

上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；

下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及

上接触电极，位于上接触层的表面；

其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区、弛豫区；

所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；

所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料；

所述衬底为砷化镓，弛豫区势垒层为镓砷磷，其中As组分变化范围在0-1之间；弛豫区势阱层为镓砷锑，As组分变化范围在0-1之间，通过改变势垒层组分，使得势垒加高获得高势垒。