[发明专利]一种三维堆叠存储芯片结构及其封装方法

权利要求书

1.一种三维堆叠存储芯片结构，其特征在于，包括：

第一叠加芯片模块；

重布线层，所述重布线层与所述第一叠加芯片模块电连接；

第二叠加芯片模块，所述第二叠加芯片模块位于所述重布线层表面；以及

外接焊球，所述外接焊球与所述重布线层及所述第二叠加芯片模块电连接。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一叠加芯片模块包括：

第一芯片；

第二芯片，所述第二芯片的背面粘贴于所述第一芯片焊盘面；

第一导电通道，所述第一导电通道与所述第一芯片及所述重布线层电连接；

第二导电通道，所述第二导电通道与所述第二芯片及所述重布线层电连接；以及

第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述第一芯片、第二芯片、第一导电通道及第二导电通道。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第二叠加芯片模块包括：

第三芯片；

第四芯片，所述第四芯片的背面粘贴于所述第三芯片的焊盘面；

第三导电通道，所述第三导电通道与所述第三芯片电连接；

第四导电通道，所述第四导电通道与所述第四芯片电连接；以及

第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第三芯片、第四芯片、第三导电通道及第四导电通道。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述重布线层实现对所述第一叠加芯片模块的扇出互连。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述外接焊球通过第五导电通道与所述重布线层电连接。

6.如权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第二芯片通过粘附膜贴在所述第一芯片的焊盘面，但露出第一芯片的所有焊盘。

7.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述第四芯片通过粘附膜贴在所述第三芯片的焊盘面，但露出第三芯片的所有焊盘。

8.一种三维堆叠存储芯片结构的封装方法，其特征在于，包括步骤：

在第一临时基板表面覆盖第一临时键合膜；

将第一芯片背面贴在第一临时键合膜表面；

将第二芯片的背面贴在所述第一芯片的焊盘面，但露出所述第一芯片的所有焊盘；

形成第一塑封层；

在第一塑封层对应所述第一芯片焊盘以及第二芯片焊盘的位置上形成第一导电通道及第二导电通道；

在第二临时基板表面覆盖第二临时键合膜；

将第三芯片背面贴在第二临时键合膜表面；

将第四芯片的背面贴在所述第三芯片的焊盘面，但露出所述第三芯片的所有焊盘；

形成第二塑封层；

去除所述第二临时基板及第二临时键合膜；

在所述第一塑封层表面形成重布线层；

将包覆所述第三芯片及第四芯片的第二塑封层贴装至所述重布线层表面；

在第二塑封层对应所述重布线层外接焊盘上形成第五导电通道，在对应第三芯片焊盘以及第四芯片焊盘的位置，分别形成第三导电通道及第四导电通道；

在所述第二塑封层表面形成外接焊球；以及

去除所述第一临时基板及第一临时键合膜。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一芯片通过双面胶贴在所述第一临时键合膜表面，所述第三芯片通过双面胶贴在所述第二临时键合膜表面。