[发明专利]包含二维移位的TSV半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

多个半导体裸片，沿着参考轴线上下叠置，

多个裸片接合焊盘，在所述多个半导体裸片中的每个半导体裸片上，其中所述半导体裸片的第一群组的对应裸片接合焊盘沿着第一轴线相对于彼此偏移，且所述多个半导体裸片的第二群组的对应裸片接合焊盘沿着不平行于所述第一轴线的第二轴线相对于彼此偏移，所述第一轴线和所述第二轴线垂直于所述参考轴线；以及

多个硅穿孔，电耦合堆叠式多个半导体裸片的不同层级中的对应裸片接合焊盘，所述多个硅穿孔中的硅穿孔延伸穿过所述多个半导体裸片中的半导体裸片中的每一个。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一轴线和所述第二轴线彼此正交。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中沿着所述第一轴线和所述第二轴线的所述偏移的移位图案被选择成使得每个半导体裸片的所述裸片接合焊盘由用于形成硅穿孔的穿过所述多个半导体裸片的单个竖直孔暴露。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述竖直孔被形成有沿着所述第一轴线和所述第二轴线延伸的二维阶梯式侧壁。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中与在远离所述多个半导体裸片的顶部的半导体裸片处相比，所述多个硅穿孔在所述多个半导体裸片的所述顶部处具有较大横截面积。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个半导体裸片包括介于五个与九个之间的裸片，三组裸片沿着所述第一轴线相对于彼此偏移，且所述三组中的每个裸片沿着所述第二轴线相对于彼此偏移，其中如果裸片的数目小于九个，那么序列停止。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个半导体裸片包括介于十个与十六个之间的裸片，四组裸片沿着所述第一轴线相对于彼此偏移，且所述四组中的每个裸片沿着所述第二轴线相对于彼此偏移，其中如果裸片的数目小于十六个，那么序列停止。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括用于将所述多个半导体裸片彼此附连的粘着膜层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述多个硅穿孔是穿过所述粘着膜层而形成。

10.一种半导体装置，其包括：

半导体裸片堆叠，沿着参考轴线上下堆叠，所述半导体裸片堆叠中的每个半导体裸片包含横越所述半导体裸片堆叠中的所述半导体裸片的表面分布的多个裸片接合焊盘；

多个硅穿孔，其用于电互连所述半导体裸片堆叠的不同层级上的对应裸片接合焊盘；

其中所述半导体裸片堆叠的所述层级中的所述多个裸片接合焊盘中的单个对应裸片接合焊盘群组包括沿着第一轴线相对于彼此偏移的第一裸片接合焊盘群组，和沿着不平行于所述第一轴线的第二轴线相对于彼此偏移的第二裸片接合焊盘群组，所述第一轴线和所述第二轴线垂直于所述参考轴线。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述多个裸片接合焊盘在所述半导体裸片堆叠中的相应裸片上处于彼此不同的位置中，且多个裸片彼此对准。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中沿着所述第一轴线和所述第二轴线的所述偏移的移位图案被选择成使得每个半导体裸片的裸片接合焊盘由用于形成硅穿孔的穿过所述半导体裸片堆叠的单个竖直孔暴露。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述竖直孔被形成有沿着所述第一轴线和所述第二轴线延伸的二维阶梯式侧壁。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中与在远离所述半导体裸片堆叠的顶部的半导体裸片处相比，所述多个硅穿孔在所述半导体裸片堆叠的所述顶部处具有较大横截面积。