[发明专利]氟化物荧光体的制造方法

权利要求书

1.一种氟化物荧光体的制造方法，该制造方法包括：

准备氟化物粒子，该氟化物粒子具有含有选自碱金属元素及NH₄⁺中的至少1种元素或离子A、选自第4族元素及第14族元素中的至少1种元素M、Mn⁴⁺、以及F的组成，且具有1摩尔组成中的A的摩尔比为2，M与Mn⁴⁺的总摩尔比为1，Mn⁴⁺的摩尔比大于0且小于0.2，F的摩尔比为6表示的组成；

在非活性气体气氛中、于500℃以上的温度下对所述氟化物粒子进行第一热处理；

用清洗液对第一热处理后的氟化物粒子进行清洗；以及

使清洗后的氟化物粒子与含氟物质接触，在400℃以上的温度下进行第二热处理。

2.根据权利要求1所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，所述氟化物粒子含有下述式(I)表示的组成，

A₂[M_1-aMn⁴⁺_aF₆] (I)

式(I)中，A为选自碱金属元素及NH₄⁺中的至少1种元素或离子，M为选自第4族元素及第14族元素中的至少1种元素，a为满足0＜a＜0.2的数。

3.根据权利要求1或2所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，所述非活性气体包含氮气。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，在650℃以上且750℃以下的温度范围内进行所述第一热处理。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，所述清洗液为水。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，所述清洗液含有还原剂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，所述含氟物质为选自F₂、CHF₃、CF₄、NH₄HF₂、NH₄F、SiF₄、KrF₂、XeF₂、XeF₄及NF₃中的至少1种。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，在425℃以上的温度下进行所述第二热处理。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，在450℃以上且550℃以下的温度范围内进行所述第二热处理。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，在所述第二热处理的温度下的保持时间为在所述第一热处理的温度下的保持时间的1倍以上。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的氟化物荧光体的制造方法，其中，所述A为K，所述M为Si。