[发明专利]晶片下片提篮

说明书

本发明提供一种晶片下片提篮，涉及材料加工技术领域。该晶片下片提篮包括篮筐和多个第一挡件。多个第一挡件间隔设置在篮筐中，篮筐用于盛放粘接有晶片的支座。多个第一挡件能够沿晶片的周侧分别抵接在晶片的侧壁面上，以将晶片固定在多个第一挡件之间。本发明缓解了现有技术中存在的在对晶片进行下片的过程中，晶片与切割鸠尾座等支座之间的AB胶受热变软后，晶片会从切割鸠尾座等支座上滑落，但在滑落后易与切割鸠尾座等支座或者清洗提篮磕碰而产生裂痕或者崩角，从而降低了晶片的生产良率的技术问题。

技术领域

本发明涉及材料加工技术领域，尤其是涉及一种晶片下片提篮。

背景技术

碳化硅(SiC)是继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后发展起来的重要的第三代半导体材料，它具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射能力及良好的化学稳定性等的优越特性。因碳化硅本身具有的特性，第三代半导体技术应用将越来越广泛，其将成为未来新能源发展的方向之一。

SiC属于硬脆材料，对SiC等硬脆材料的加工包括晶棒线切、下片、研磨、倒角、退火、贴蜡、铜抛、抛光等制程。以SiC的加工过程为例，在晶棒线切过程中，需要先将SiC晶棒利用两液混合硬化胶(AB胶)固定于切割鸠尾座上，再对SiC晶棒进行切片处理以将SiC晶棒切成多个SiC晶片，此时每个SiC晶片均通过AB胶固定在鸠尾座上。完成晶棒线切过程后，需要进行下片过程。在下片时，需要先将固定有AB胶和SiC晶片的切割鸠尾座放置在清洗提篮中，再将清洗提篮放置在水槽中并对水槽加热，待切割鸠尾座上的AB胶受热变软后即可使所有SiC晶片均与切割鸠尾座分离，至此可完成下片过程。

但是在对SiC晶片等晶片进行下片的过程中，AB胶受热变软且SiC晶片与切割鸠尾座之间分离时，SiC晶片会立即从切割鸠尾座上滑落并与切割鸠尾座或者清洗提篮磕碰而产生裂痕或者崩角，从而降低了SiC晶片等晶片的生产良率。

发明内容

本发明的目的在于提供晶片下片提篮，以缓解现有技术中存在的在对晶片进行下片的过程中，AB胶受热变软且晶片与切割鸠尾座等支座之间分离时，晶片会立即从切割鸠尾座等支座上滑落并与切割鸠尾座等支座或者清洗提篮磕碰而产生裂痕或者崩角，从而降低了晶片的生产良率。

本发明提供的晶片下片提篮包括篮筐和多个第一挡件；

多个第一挡件间隔设置在篮筐中，篮筐用于盛放粘接有晶片的支座；

多个第一挡件能够沿晶片的周侧分别抵接在晶片的侧壁面上，以将晶片固定在多个第一挡件之间。

进一步的，晶片下片提篮还包括多个第二挡件；

多个第一挡件沿同一方向间隔设置在篮筐中，且相邻两个第一挡件能够分别抵接在晶片的位置相对的两侧；

多个第二挡件沿同一方向间隔设置在篮筐中，且相邻两个第二挡件能够分别抵接在晶片的外露于第一挡件的部分的位置相对的两侧。

进一步的，篮筐为长方体形状，篮筐的其中一组位置相对的竖向侧壁为第一竖向侧壁，另一组位置相对的竖向侧壁为第二竖向侧壁；

沿第一竖向侧壁的长度方向，两个第一竖向侧壁上均设置有第一导轨；

第一挡件为板状，第一挡件滑动连接在两个第一竖向侧壁上的第一导轨之间。

进一步的，沿第二竖向侧壁的长度方向，两个第二竖向侧壁上均设置有第二导轨，且第二导轨高于或者低于第一导轨；

第二挡件为杆状，第二挡件滑动连接在两个第二竖向侧壁上的第二导轨之间。

进一步的，第一导轨的长度方向和第二导轨的长度方向均与篮筐的底面平行。

进一步的，第一竖向侧壁的长度大于第二竖向侧壁的长度；