[发明专利]R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用

权利要求书

1.一种R-T-B系磁体材料的制备方法，其特征在于，将R-T-B系磁体材料的原料组合物的熔融液经熔铸、氢破、成形、烧结和时效处理，即可；

所述R-T-B系磁体材料的原料组合物以质量百分比计，其包括如下含量的组分：

R’：29.5~32%，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；

其中，所述Pr：≥8.85%；所述Nd的含量在22%以下；

Ga：1.15~2.5%；

B：0.9~1.2%；

Fe：59~69%；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；

所述R-T-B系磁体材料包括晶界富Fe相；所述的晶界富Fe相，以质量百分比计，包括如下含量的组分：R’：49~58%，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；T：39~48%，所述T包括Fe；M：3~4%，所述M包括Ga，百分比为各组分占所述晶界富Fe相总质量的质量百分比；所述晶界富Fe相占所述R-T-B系磁体材料总体积的2~25%；

所述的R-T-B系磁体材料中还含有晶界富稀土相；所述晶界富稀土相，以质量百分比计，其包括如下含量的组分：R’：84~87%，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；O：13~16%，百分比为占所述晶界富稀土相总质量的质量百分比。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述R’的含量为29.7~32%，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；

和/或，所述Pr的含量为8.85~27.15%，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；

和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中，所述的R’还包括Y；

和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中，所述R’还包括RH，所述RH为重稀土元素；

和/或，所述Ga的含量为1.15%、1.25%、1.3%、1.35%、1.45%、1.5%、1.55%、1.6%、1.65%、1.75%、1.85%、1.95%、2%、2.05%、2.15%、2.25%、2.35%、2.45%或2.5%，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；

和/或，所述B的含量为0.92~1.2%，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；

和/或，所述Fe的含量为59.4~68.2%，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；

和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中还包括Cu、Al、Co、Mn、Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Ta和W中的一种或多种；

和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中还包括N，所述N的种类包括Zr、Ti或Nb。