[发明专利]一种氮化铝膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911316118.4 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048403A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 徐孝灵;黄小辉;王小文;康建;郑远志;陈向东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种氮化铝膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在衬底上生长具有孔状结构的氮化硅层；
步骤2、将所述氮化硅层放入设备反应室中，控制所述反应室温度为600-1000℃，压力为20-200mbar，在所述氮化硅层表面生长氮化铝缓冲层；
步骤3、控制所述反应室的温度为1100-1500℃，压力为20-200mbar，在所述氮化铝缓冲层表面生长氮化铝层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，采用磁控溅射方法，在25-250℃下生长所述氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为a，5≤a≤2000nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铝缓冲层的厚度为b，0＜b≤50nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，在所述氮化铝缓冲层表面依次生长第一氮化铝层和第二氮化铝层，所述第一氮化铝层的生长速率小于所述第二氮化铝层的生长速率。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一氮化铝层的生长速率为0.5-1μm/h。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二氮化铝层的生长速率为1-2μm/h。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一氮化铝层的厚度为c，100≤c≤800nm；所述第二氮化铝层的厚度为d，1000≤d≤5000nm。
9.一种氮化铝膜，其特征在于，根据权利要求1-8任一所述的制备方法得到。
10.一种LED外延结构，其特征在于，包括根据权利要求1-8任一所述制备方法得到的氮化铝膜或权利要求9所述的氮化铝膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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