[发明专利]晶圆处理方法及装置

权利要求书

1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：

将表面形成有绝缘膜的晶圆置于掺杂有钠离子的电解液中作为电解阴极，所述晶圆表面的部分绝缘膜被去除；

将铜板置于所述电解液中作为电解阳极；

向所述电解阳极和所述电解阴极施加电信号，铜离子在所述晶圆的COP缺陷处还原为铜，根据还原出的铜检测所述晶圆表面的COP缺陷。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述将表面形成有绝缘膜的晶圆置于掺杂有钠离子的电解液中作为电解阴极之前，所述方法还包括：

对所述晶圆表面进行热处理，在所述晶圆表面制备出氧化膜作为所述绝缘膜；

去除所述晶圆背面的氧化膜，使得所述晶圆具有导电性。

3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述氧化膜的厚度为200～500埃。

4.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，热处理的温度为950～1050℃。

5.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述去除所述晶圆背面的氧化膜包括：

将所述晶圆放置于浓度为20～30％的HF酸中，通过HF酸去除所述晶圆背面的氧化膜。

6.根据权利要求5所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述通过HF酸去除所述晶圆背面的氧化膜之后，所述方法还包括：

在超纯水中将残留在所述晶圆表面的HF酸冲洗干净。

7.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述将铜板置于所述电解液中作为电解阳极之前，所述方法还包括：

将所述铜板在HNO₃溶液中进行清洗，去除所述铜板表面的杂质。

8.根据权利要求7所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述将所述铜板在HNO₃溶液中进行清洗之后，所述方法还包括：

在超纯水中将残留在所述铜板表面的HNO₃冲洗干净。

9.根据权利要求8所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述在超纯水中将残留在所述铜板表面的HNO₃冲洗干净之后，所述方法还包括：

利用氮气将所述铜板吹干。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述电解液采用甲醇，所述电解液中钠离子的浓度为0.08-0.12mol/L。

11.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括恒流电源、电解阳极、电解阴极、电解槽以及检测模块，所述电解槽中盛装有掺杂有钠离子的电解液，所述电解阳极和所述电解阴极分别伸入所述电解液中，所述电解阴极为表面形成有绝缘膜的晶圆，所述晶圆表面的部分绝缘膜被去除，所述电解阳极为铜板，所述电解阳极和所述电解阴极分别与所述恒流电源电连接，所述检测模块用于根据所述晶圆表面还原出的铜检测所述晶圆表面的COP缺陷。