[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一半导体基底；

一多层堆叠，埋入在该半导体基底内，其中，该多层堆叠包括一第一填充层和在该第一填充层下方的一第二填充层，该第一填充层具有一第一蚀刻率，该第二填充层具有一第二蚀刻率，该第一蚀刻率和该第二蚀刻率不同；

一开关元件，设置在该半导体基底的上方；以及

一空隙，形成在该多层堆叠内并且在该开关元件的下方，其中，该空隙被一介电质填充材料包围。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该第二蚀刻率大于该第一蚀刻率。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该多层堆叠包括：

一第三填充层，设置在该第二填充层下方，其中，该第三填充层具有与该第二蚀刻率不同的一第三蚀刻率。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中，该第二蚀刻率大于该第三蚀刻率。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中，在该第二填充层的位置内形成该空隙。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该半导体基底包括：一底层基底以及设置在该底层基底上方的一外延层，其中，该多层堆叠埋入在该底层基底内，并且该外延层设置在该多层堆叠和该开关元件之间。

7.如权利要求6所述的半导体结构，还包括嵌入在该外延层内的一阱部，其中，该阱部设置在该开关元件的下方和在该空隙的上方。

8.如权利要求6所述的半导体结构，还包括：

一蚀刻停止层，设置在该外延层和该多层堆叠之间。

9.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

两个浅沟槽隔离部分，设置在该半导体基底内，其中，该开关元件横向地设置在该浅沟槽隔离部分之间；以及

两个深沟槽隔离部分，设置在该半导体基底内并分别在该浅沟槽隔离部分的下方，其中，该多层堆叠横向地设置在该深沟槽隔离部分之间。

10.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

一介电层，设置在该半导体基底上方并围绕该开关元件。

11.一种半导体结构的制造方法，包括：

在一半导体基底内形成一多层堆叠，其中该多层堆叠具有一第一填充层及在该第一填充层下方的一第二填充层，该第一填充层具有一第一蚀刻率，该第二填充层具有一第二蚀刻率，该第一蚀刻率和该第二蚀刻率不同，该半导体基底具有两个通孔，该多层堆叠的两个顶部分别通过该两个通孔暴露；

使该多层堆叠从该两个通孔凹陷，以分别在该第一填充层和该第二填充层内形成两个盲孔；

选择性地蚀刻该第二填充层以在该两个盲孔之间形成一整体腔；

用一介电填充材料填充该整体腔和该两个盲孔，以在该多层堆叠中形成一空隙；以及

在该半导体基底上方形成一开关元件，其中，在该开关元件的下方形成该空隙。

12.如权利要求11所述的制造方法，还包括：

在该第二填充层下方的该半导体基底内形成该多层堆叠的一第三填充层，其中，该第三填充层具有与该第二蚀刻率不同的一第三蚀刻率。

13.如权利要求11所述的制造方法，包括：在该第二填充层的位置处形成该空隙，并且该空隙被该介电填充材料包围。

14.如权利要求11所述的制造方法，还包括：

在该半导体基底的底层基底上方形成一半导体基底的一外延层，其中，在该底层基底内形成该多层堆叠，并且在该多层堆叠与该开关元件之间形成该外延层。

15.如权利要求14所述的制造方法，还包括：

形成嵌入在该外延层内的一阱部，其中，该阱部形成在该开关元件的下方和该空隙的上方。