[发明专利]带温补层和电学层的体声波谐振器、滤波器及电子设备有效
申请号: | 201911317366.0 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN111010130B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 张孟伦;庞慰;杨清瑞 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/15 | 分类号: | H03H9/15;H03H9/17;H03H9/13 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300462 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带温补层 电学 声波 谐振器 滤波器 电子设备 | ||
1.一种体声波谐振器,包括:
基底;
声学镜;
底电极;
顶电极;
压电层,设置在底电极与顶电极之间,
其中:
顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域;
顶电极和/或底电极为温补层电极,所述温补层电极包括电极材料层、至少一层温补层和至少一层电学层,温补层与电学层在谐振器的厚度方向上叠置,且在温补层电极的厚度方向上,在所述温补层电极中温补层中的一层比所有电学层更靠近压电层,所述电学层与所述电极材料层形成电连接,所述电学层的电阻率不同于所述电极材料层的电阻率,所有温补层在谐振器的厚度方向上与压电层间隔开。
2.根据权利要求1所述的谐振器,其中:
所述电学层的电阻率小于所述电极材料层的电阻率。
3.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述电学层的电阻率不大于3.5x10-8Ohm·m。
4.根据权利要求1所述的谐振器,其中:
所述电学层的材料包括铝、铜、金或银,或上述金属的合金。
5.根据权利要求4所述的谐振器,其中:
所述电极材料层的材料为钼、钌、钛、钨、铂、铱或锇,或上述金属的合金。
6.根据权利要求1所述的谐振器,其中:
所述电学层与所述温补层的声阻抗小于所述电极材料层的声阻抗。
7.根据权利要求6所述的谐振器,其中:
所述电极材料层的声阻抗大于30兆瑞利。
8.根据权利要求7所述的谐振器,其中:
所述电极材料层的声阻抗大于50兆瑞利。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器,其中:
彼此相邻层叠的温补层与电学层在谐振器的厚度方向上以一层直接覆盖另一层的方式叠置。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器,其中:
彼此相邻层叠的温补层与电学层在谐振器的厚度方向上由彼此间隔开。
11.根据权利要求10所述的谐振器,其中:
在谐振器的厚度方向上彼此相邻层叠的温补层与电学层之间为电极材料。
12.根据权利要求11所述的谐振器,其中:
在谐振器的厚度方向上彼此相邻层叠且靠近压电层的温补层与电学层之间的电极材料的厚度大于所述温补层与压电层之间的电极材料的厚度。
13.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器,其中:
底电极为温补层电极,一个电学层的底侧构成所述底电极的底侧。
14.根据权利要求13所述的谐振器,其中:
所述声学镜为声学镜空腔,所述谐振器还包括刻蚀保护层,所述保护层设置在所述一个电学层的底侧与基底的上侧之间且覆盖所述空腔;或
所述声学镜为声学镜空腔,所述一个电学层的底侧直接覆盖基底的上表面和所述空腔。
15.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器,其中:
所述温补层电极包括一组或多组温补-电学层,每一组温补-电学层包括以在远离压电层的方向上的顺序布置的一个温补层和一个电学层;或
所述温补层电极包括一组或多组温补-电学层,每一组温补-电学层包括以在远离压电层的方向上的顺序布置的一个第一温补层、一个电学层和一个第二温补层。
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