[发明专利]一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法在审

专利信息
申请号: 201911317482.2 申请日: 2019-12-19
公开(公告)号: CN111048528A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 柳发霖;张泽鹏;马亮 申请(专利权)人: 信利(仁寿)高端显示科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 许青华
地址: 620500 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 修复 薄膜晶体管 阵列 静电 击伤 结构 方法
【说明书】:

发明公开了一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法,所述薄膜晶体管阵列基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、半导体层和源漏极层,其中所述半导体层有静电击伤位置,所述方法包括在所述静电击伤位置填补绝缘材料。本发明中,在所述静电击伤位置填补绝缘材料,解决半导体层受静电击伤后,对产品性能的影响,这种修复方式快速、方便、成本低,保证了薄膜晶体管阵列基板功能的正常。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法。

背景技术

在当前薄膜晶体管显示器(Thin film transistor LCD,简称TFT-LCD) 领域的大规模生产时,由于基板运送,设备接触及操作人员接触等因素会引入静电(Electronstatic,简称ES),产生静电电压。静电电压在短时间内会释放远远超过显示器屏幕内部有源区器件工作能力的大电流,即外部静电通过数据信号线会传输到显示器内部的薄膜晶体管器件,造成击穿,从而引起各种损伤。TFT-LCD生产过程中的静电防护,一方面可以控制生产环境,比如控制环境的湿度、在传输系统中用使用电子风吹拂、设置低的基板传输速度等。另一方面可以在面板设计上加上一些静电防止设计,比如增加串联阻抗,避雷针型图案设计,双向保护晶体管设计等。

发明人在实践中发现,在薄膜晶体管阵列基板的生产流程中,虽然采用现有的静电防护措施,薄膜晶体管阵列基板制作时静电发生的几率仍然很大,薄膜晶体管阵列基板受静电击伤后对产品性能影响较大,降低了薄膜晶体管阵列基板的可靠性及良率。

发明内容

为了解决上述现有技术的不足,本发明提供一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法。

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:

一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的方法,所述薄膜晶体管阵列基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、半导体层和源漏极层,其中所述半导体层有静电击伤位置,所述方法包括在所述静电击伤位置填补绝缘材料。

进一步地,所述栅极层包括间隔的栅极结构,所述静电击伤位置位于所述栅极结构之间的空缺位置。

进一步地,在所述静电击伤位置填补绝缘材料的方法包括:在静电击伤后的半导体层以及衬底层上涂布绝缘材料,采用刻蚀工艺去除所述半导体层上的绝缘材料。

进一步地,绝缘材料的表面与所述半导体层的表面齐平。

进一步地,所述绝缘材料为环氧树脂。

一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构,所述薄膜晶体管阵列基板包括衬底层以及依次设置于所述衬底层上的栅极层、半导体层和源漏极层,其中所述半导体层有静电击伤位置,在所述静电击伤位置填补有绝缘材料,所述绝缘材料的表面与所述半导体层的表面齐平。

进一步地,所述绝缘材料为环氧树脂。

本发明具有如下有益效果:

本发明中,在所述静电击伤位置填补绝缘材料,解决半导体层受静电击伤后,对产品性能的影响,这种修复方式快速、方便、成本低,保证了薄膜晶体管阵列基板功能的正常。

附图说明

图1为现有技术中薄膜晶体管阵列基板的结构示意图;

图2为本发明中薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。

图中:1、栅极层,2、半导体层,3、源漏极层,4、绝缘材料。

具体实施方式

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