[发明专利]吸波材料及其制造方法

权利要求书

1.一种吸波材料，其特征在于，包括：

核心；

位于所述核心外表面的绝缘层；以及

位于所述核心和所述绝缘层之间的空气层，

其中，所述核心和所述绝缘层具有不同的极性或电导率，且所述空气层的厚度为1-10纳米，所述绝缘层的厚度为20-300纳米，从而当所述吸波材料处于电磁波中时，所述核心、所述绝缘层和所述空气层形成类电容结构，所述类电容结构用于吸收至少部分所述电磁波。

2.根据权利要求1所述的吸波材料，其特征在于，所述核心为羰基铁粉颗粒、羰基镍粉颗粒和羰基钴粉颗粒中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的吸波材料，其特征在于，所述绝缘层为氧化镁。

4.一种吸波材料的制造方法，其特征在于，包括：

形成覆盖核心外表面的牺牲层；

形成覆盖所述牺牲层外表面的绝缘层；以及

去除所述牺牲层，以形成位于所述核心和所述绝缘层之间的空气层，

其中，所述核心和所述绝缘层具有不同的极性或电导率，所述绝缘层的厚度为20-300纳米，且所述空气层的厚度为1-10纳米，从而当所述吸波材料处于电磁场中时，所述核心、所述绝缘层和所述空气层形成类电容结构，有助于吸收电磁波。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成所述牺牲层的方法包括：

在第一温度下，多次重复以下步骤：

向具有所述核心的反应腔内通入具有第一压强的第一前驱体；以及向所述反应腔内通入具有所述第一压强的第二前驱体，从而在所述核心外表面形成单层牺牲材料，

其中，多层覆盖于所述核心外表面的所述单层牺牲材料形成所述牺牲层，当所述牺牲层的厚度达到第一厚度之后，停止形成所述单层牺牲材料。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一厚度为1-10nm，所述牺牲层为二氧化硅层，所述第一前驱体包括三甲基硅烷，所述第二前驱体包括氧气或臭氧，所述第一压强为0.01-1.0Torr，所述第一温度为30-300摄氏度。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的方法包括：

在所述核心外表面形成所述牺牲层之后，在第二温度下，多次重复以下步骤：

向所述反应腔内交替通入具有第二压强的第三前驱体；以及

向所述反应腔内通入具有所述第二压强的第四前驱体，从而在所述牺牲层的外表面形成单层绝缘材料，

其中，多层覆盖于所述牺牲层外表面的所述单层绝缘材料形成所述绝缘层，当所述绝缘层的厚度达到第二厚度之后，停止形成所述单层绝缘材料。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二厚度为20-300nm，所述绝缘层为氧化镁，所述第三前驱体为双(乙基环戊二烯基)镁或二茂化镁，所述第四前驱体为水、氧气、臭氧和双氧水中的任意一种，所述第二压强为0.01-1.0Torr，所述第二温度为30-300摄氏度。