[发明专利]一种边发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种边发射激光器，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面依次堆叠的N型限制层、波导层、量子阱、对称波导层及P型限制层；所述波导层包括若干个依次堆叠的子波导层；所述对称波导层包括依次堆叠的第一对称波导层、高能带限流波导层、能带渐变波导层、第二对称波导层，所述高能带限流波导层用于限制所述第一对称波导层的载流子溢流；所述能带渐变波导层的能带沿第一方向自下而上逐渐降低，用于减小所述高能带限流波导层与所述第二对称波导层的能带差；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述P型限制层；

在所述P型限制层表面堆叠的P型包层。

2.根据权利要求1所述的边发射激光器，其特征在于，所述波导层包括若干个依次堆叠的子波导层，所述波导层为铟镓砷磷材料体系，并沿所述第一方向自下而上，各所述子波导层的铟组分、砷组分依序渐增且磷组分依序递减。

3.根据权利要求2所述的边发射激光器，其特征在于，所述波导层包括沿所述第一方向自下而上依次堆叠的第一波导层、第二波导层、第三波导层及第四波导层，所述第一波导层、第二波导层、第三波导层、第四波导层的铟组分、砷组分依序渐增且磷组分依序递减。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的边发射激光器，其特征在于，所述第一对称波导层与所述第四波导层对称设置，所述第二对称波导层与所述第一波导层对称设置。

5.根据权利要求4所述的边发射激光器，其特征在于，所述第一波导层包括In_aGa_(1-a)As_bP_(1-b)层，且0≤a＜1，0＜b＜1；所述第二波导层包括In_cGa _(1-c)As_dP_(1-d)层，且0≤c＜1，0＜d＜1；所述第三波导层包括In_eGa_(1-e)As_fP_(1-f)层，且0≤e＜1，0＜f＜1；所述第四波导层包括In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)层，且0≤x＜1，0＜y＜1。

6.根据权利要求5所述的边发射激光器，其特征在于，所述0≤a＜c＜e＜x＜1，且0＜b＜d＜f＜y＜1。

7.根据权利要求5或6所述的边发射激光器，其特征在于，所述第一对称波导层的包括In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)层，且0≤x＜1，0＜y＜1。

8.根据权利要求7所述的边发射激光器，其特征在于，所述高能带限流波导层包括Al_xInAs，0.1＜x＜1。

9.根据权利要求8所述的边发射激光器，其特征在于，所述能带渐变波导层包括AlGaInAs层，所述AlGaInAs层的能带沿所述第一方向自下而上逐渐降低。

10.根据权利要求9所述的边发射激光器，其特征在于，所述第二对称波导层包括In_aGa_(1-a)As_bP_(1-b)层，且0≤a＜1，0＜b＜1。