[发明专利]一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器，其特征在于，从下到上依次包括衬底、绝缘底层、ZnMgO忆阻层、Al位线电极、绝缘层、Al字线电极，Al位线电极和Al字线电极十字交叉设置，并且均与ZnMgO忆阻层相接触。

2.根据权利要求1所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器，其特征在于，绝缘层位于Al位线电极和Al字线电极交叉节点处。

3.根据权利要求1所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器，其特征在于，ZnMgO忆阻层的厚度为150-250nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器，其特征在于，绝缘底层为SiO2，其厚度为250-350nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器，其特征在于，Al字线电极的厚度为450-550nm，Al位线电极的厚度为450-550nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器，其特征在于，绝缘层为SiO2薄膜，其厚度为150-250nm。

7.一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-6任一所示的存储器，其制备方法包括以下步骤：

(1)使用清洗液清洗衬底；

(2)用等离子增强的化学气相沉积制备SiO2薄膜，其作为绝缘底层；

(3)用磁控溅射法溅射ZnMgO薄膜，其作为第1层忆阻层；

(4)用电子束蒸发制备Al薄膜，其作为第2层位线；

(5)用等离子增强的化学气相沉积制备SiO2薄膜，其作为第3层，字线与位线的绝缘层；

(6)用电子束蒸发制备Al薄膜，然后进行光刻工艺，最后刻蚀铝及去除光刻胶，使其作为第4层字线。

8.根据权利要求7所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)首先进行光刻工艺，然后用磁控溅射法溅射ZnMgO薄膜，溅射厚度为200nm，最后用剥离法去除光刻胶与其上附着的ZnMgO。

9.根据权利要求7所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)首先用电子束蒸发制备Al薄膜，蒸发厚度为500nm，然后进行光刻工艺，最后刻蚀铝及去除光刻胶。

10.根据权利要求7所述的一种基于ZnMgO的无源阵列阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)首先用气相沉积制备SiO2薄膜，沉积厚度为200nm，然后进行光刻工艺，最后刻蚀SiO2及去除光刻胶。