[发明专利]阵列基板的制备方法、显示面板及显示器有效
申请号: | 201911319047.3 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN111139459B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 叶京生 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;H01L21/205;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示 面板 显示器 | ||
本申请公开了阵列基板的制备方法、显示面板及显示器,该制备方法包括:接收玻璃,制程室内的承载棒将玻璃撑起;下电极以第一速度向玻璃靠近并加热玻璃;下电极继续以第二速度向玻璃靠近并加热玻璃;下电极继续以第三速度向玻璃靠近并加热玻璃,其中,第三速度大于第二速度;对玻璃进行后加工得到阵列基板。本申请的制备方法能够提高阵列基板的生产效率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及阵列基板的制备方法、显示面板及显示器。
背景技术
化学气相沉积设备能够提供密闭且恒温的环境来进行化学气相沉积,化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法。
阵列基板在制造镀膜的过程中需要通过化学气相沉积设备来完成,但是目前化学气相沉积设备的生产效率比较低,严重影响到阵列基板的正常生产。
因此,有必要提供一种阵列基板的制备方法,以解决阵列基板的生产效率低的问题。
发明内容
本申请提供了阵列基板的制备方法、显示面板及显示器,以解决现有技术中阵列基板生产效率低的问题。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板的制备方法,该阵列基板的制备方法包括:接收玻璃,制程室内的承载棒将玻璃撑起;下电极以第一速度向玻璃靠近并加热玻璃;下电极继续以第二速度向玻璃靠近并加热玻璃;下电极继续以第三速度向玻璃靠近并加热玻璃,其中,第三速度大于第二速度;对玻璃进行后加工得到阵列基板。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,该显示面板包括依次层叠设置的上偏光片、阵列基板和下偏光片,阵列基板通过上述的制备方法制造而成。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示器,该显示器包括依次层叠设置的金属面框、上偏光片、阵列基板、下偏光片和背光模组,阵列基板通过上述的制备方法制造而成。
本申请的有益效果为:下电极以第二速度和第三速度运动,以对玻璃进行加热为目的。其中,第三速度大于第二速度,即下电极处于加速朝向玻璃移动的状态,在相同的时间下,这样设置下电极可以更加快速地靠近玻璃,以对玻璃进行更多地加热,从而加快使玻璃的温度与制程室内的温度持平。另外,在相同的距离下,这样设置可以使下电极更早地接近玻璃,以在玻璃上进行镀膜。从这两点可以得出,下电极的第三速度大于第二速度,玻璃在制程室内进行化学气相沉积的时间将得到缩减,从而提高了阵列基板的生产效率。
附图说明
图1是本申请提供的化学气相沉积设备的一实施例的截面示意图;
图2是本申请提供的阵列基板的制备方法的一实施例的流程示意图;
图3是本申请提供的阵列基板的制备方法的另一实施例的流程示意图;
图4是本申请提供的子阵列基板的一实施例的结构示意图;
图5是本申请提供的阵列基板的制备方法的一实施例的流程示意图;
图6是本申请提供的显示面板的一实施例的结构示意图;
图7是本申请提供的显示器的一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的