[发明专利]一种基于模式分析的双频双方向图天线

权利要求书

1.一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：包括共面波导馈电结构、辐射贴片、介质基板以及集成馈电结构的金属地板，所述辐射贴片的尺寸需小于金属接地板尺寸，设计为长方形，所述金属接地板的尺寸和介质基板一样大。

2.如权利要求1所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：具有双频双方向图特性，双频点收发，同时具有双辐射方向图。

3.如权利要求1所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：改变原天线表面的电流路径，激励出TM₁₀模和TM₂₀模。

4.如权利要求1所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：所述辐射贴片增加了“T型”枝节，长度为9 mm，枝节宽度为1.5 mm，两组枝节间间隔为12 mm。

5.如权利要求4所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：介质基板为单层介质基板，尺寸为66.4 × 66.4× 1 mm³，基板型号为TLF-35A，介电常数为3.42，介质损耗为0.0022。

6.如权利要求4所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：通过控制枝节的长度，可以在两个频点分别实现两个不同的辐射方向图，在4.6 GHz下方向图为定向辐射，在5.2 GHz下方向图为双向辐射。

7.如权利要求4所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：天线最大增益达到6.65 dBi，交叉极化值接近或小于-20 dB。

8.如权利要求1所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：所述辐射贴片在中间加载一对对称等长缝隙时，缝隙的长度为7.5 mm，缝隙宽度为0.1 mm，两组缝隙间间隔为0.1 mm。

9.如权利要求8所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：介质基板为单层介质基板，尺寸为56 × 34.4 × 1 mm³，基板型号为TLF-35A，介电常数3.42，介质损耗0.0022。

10.如权利要求8所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：通过控制缝隙的位置，可以在两个频点分别实现两个不同的辐射方向图，在5.16 GHz下方向图为双向辐射，在5.48 GHz下方向图为定向辐射。

11.如权利要求8所述一种基于模式分析的双频双方向图天线，其特征在于：天线最大增益达到5.63 dBi，各个频点的回波损耗S₁₁均小于-15 dB，交叉极化有一定的改善。