[发明专利]一种三维多孔形状记忆材料的制备方法及应用有效
申请号: | 201911320822.7 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN110982115B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 成中军;刘鹏昌;刘宇艳;张东杰 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C08J9/42 | 分类号: | C08J9/42;C08J9/36;C25D9/02;C23C4/08 |
代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 多孔 形状 记忆 材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种三维多孔形状记忆材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:利用氯仿溶解反式1,4聚异戊二烯,配制成反式1,4聚异戊二烯的氯仿溶液;
步骤二:将海绵浸入反式1,4聚异戊二烯的氯仿溶液中浸泡,将浸泡后的海绵进行真空干燥处理;
步骤三:将干燥处理后的海绵利用多巴胺进行修饰;
步骤四:将步骤三中得到的样品的上表面进行喷金处理,然后将喷金处理后的样品进行聚吡咯的电沉积,电沉积后用氮气将样品吹干,然后真空干燥,得到三维多孔形状记忆材料;步骤四中聚吡咯的电沉积的具体步骤为:反应体系溶剂为乙腈,在乙腈中加入三氯化铁、全氟辛基磺酸四乙基胺和吡咯单体,其中三氯化铁的浓度为1×10-4M~9×10-4M,全氟辛基磺酸四乙基胺的浓度为0.01-0.08M,吡咯单体的浓度为0.1-0.5M,电流密度为0.1-0.8mAcm-1,电镀时间为100-1000s。
2.根据权利要求1所述的一种三维多孔形状记忆材料的制备方法,其特征在于:步骤一中反式1,4聚异戊二烯的氯仿溶液的浓度为10-40mg/ml。
3.根据权利要求1所述的一种三维多孔形状记忆材料的制备方法,其特征在于:步骤二中浸泡时间为10-30min。
4.根据权利要求1所述的一种三维多孔形状记忆材料的制备方法,其特征在于:步骤二中,真空干燥处理的干燥温度为25℃,干燥时间为12小时。
5.根据权利要求1所述的一种三维多孔形状记忆材料的制备方法,其特征在于:步骤三中利用多巴胺修饰干燥处理后的海绵的具体步骤如下:
步骤1:将干燥处理后的海绵在无水乙醇中浸泡,取出;
步骤2:使用Tris-HCl作为溶剂,在500-1500mlTris-HCl中加入100-1500mg多巴胺盐酸盐,100-1500mg的PEI,然后将无水乙醇浸泡后的海绵加入其中,室温搅拌1-12h;
步骤3:取出用蒸馏水清洗干净,25℃下真空干燥处理12小时。
6.根据权利要求5所述的一种三维多孔形状记忆材料的制备方法,其特征在于:步骤1中,干燥处理后的海绵在无水乙醇中的浸泡时间为5-20min。
7.根据权利要求5所述的一种三维多孔形状记忆材料的制备方法,其特征在于:步骤2中,Tris-HCl的pH为8.5。
8.一种权利要求1-7任一权利要求所述的方法制备的三维多孔形状记忆材料在控制药物释放速度方面的应用,其特征在于:包括以下步骤:
步骤(1):将所述三维多孔形状记忆材料进行加热,在温度高于其玻璃化转变温度时,通过施加外力将其压扁,此时三维多孔形状记忆材料的孔径最小,然后根据不同的恢复比例,得到不同孔径的三维多孔形状记忆材料;
步骤(2):将氧化还原电位施加到不同孔径的三维多孔形状记忆材料上表面的聚吡咯区段100-1000秒,在含有0.01-0.04M全氟辛基磺酸四乙基胺的乙腈中,通过控制三维多孔形状记忆材料的浸润状态使三维多孔形状记忆材料的孔径处于开放或闭合状态,从而用于控制药物的释放速度。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于:步骤(2)中,三维多孔形状记忆材料上表面的聚吡咯处在氧化态,也就是超疏水状态,无论多大的孔径,药物释放速度均很缓慢,这就是药物缓释;当处在超亲水状态,根据孔径的大小,得到不同释放速度,并且当压扁后的三维多孔形状记忆材料完全恢复后,药物可以迅速释放。
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