[发明专利]用于超导磁体的低温恒温器

权利要求书

1.一种分裂柱形超导磁体系统，包括两个半磁体，每个半磁体包括被保持在外真空室(18)中的多个超导磁体线圈(12)，所述外真空室具有位于所述多个磁体线圈(12)和所述外真空室(18)之间的一个热辐射屏蔽件(16)，其中所述热辐射屏蔽件(16)被成形为使得：相应的半磁体的热辐射屏蔽件(16)之间在所述热辐射屏蔽件(16)的内径(16a)处的轴向间距比在所述热辐射屏蔽件(16)的外径(16d)处的轴向间距大，来使得所述热辐射屏蔽件靠近所述超导磁体系统的磁体轴线并靠近所述半磁体之间的间隙的导电表面远离梯度线圈。

2.根据权利要求1所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中所述热辐射屏蔽件(16)被成形以便通过所述热辐射屏蔽件的柱形形状中的台阶式轮廓而在最靠近成像区(26)的位置中不存在。

3.根据权利要求1所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中所述热辐射屏蔽件(16)和所述外真空室(18)被相似地成形。

4.根据权利要求1所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中所述热辐射屏蔽件(16)被倒角，以从最小内径(16c)到增大内径(16e)逐渐变化。

5.根据权利要求1所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中所述热辐射屏蔽件从最小内径(16c)到增大内径(16e)具有凹入盘形形状。

6.根据权利要求1所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中所述热辐射屏蔽件从最小内径(16c)到增大内径(16e)具有凸起盘形形状。

7.根据前述任一项权利要求所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中多个凹槽(32)被设置在相应的半磁体的所述热辐射屏蔽件的轴向内末端和径向内末端附近。

8.根据权利要求7所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中所述多个凹槽(32)被用于安装辅助设备或被用于为操作者提供改进的通路。

9.根据权利要求1-6和8中任一项所述的分裂式柱形超导磁体系统，还包括被封闭在低温恒温器中且将所述多个磁体线圈分离的多个结构部件。

10.根据权利要求1-6和8中任一项所述的分裂式柱形超导磁体系统，还包括在相应的外真空室半部上支撑所述多个磁体线圈中的每个磁体线圈并且继而支撑两个外真空室半部的多个结构部件。

11.根据权利要求10所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中在两个外真空室(18)的轴向内末端处，一个机械支撑结构(34)在所述两个外真空室(18)的外径处或所述两个外真空室(18)的外径附近承靠所述两个外真空室(18)。

12.根据权利要求11所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中所述机械支撑结构(34)围绕所述柱形超导磁体系统的圆周是间断的。

13.根据权利要求10所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中在两个外真空室(18)的轴向内末端和径向内末端处，一个机械支撑结构(34)在所述两个外真空室(18)的内径处或所述两个外真空室(18)的内径附近承靠所述两个外真空室(18)。

14.根据权利要求10所述的分裂式柱形超导磁体系统，其中一个机械支撑结构(36)在两个半部外真空室的、远离所述两个半部外真空室的轴向内末端和径向内末端的径向外表面上被附接至所述两个半部外真空室。