[发明专利]一种在与非型存储器阵列中实现数据搜索的方法

权利要求书

1.一种在与非型存储器阵列中实现数据搜索的方法，其特征在于，包括：

所述与非型存储器阵列的基本搜索单元为成对且互补的阈值电压可受外界物理场调控的晶体管，记为第一晶体管和第二晶体管；所述单元内的两个晶体管源漏相接，两个栅极相互独立；单元内第一晶体管的阈值电压V_thp和第二晶体管的阈值电压V_thc之和为一个确定的电压值V₀；单元阈值电压和V₀取V_thp的最小阈值电压和最大阈值电压之和，或者取V_thc的最小阈值电压和最大阈值电压之和；

所述阵列的行方向上，每行的基本搜索单元对应的两个栅极分别相接，联接至正字线与补字线，通过在正字线与补字线上施加互补的电压信号实现对单元所存储的互补的数据的匹配与搜索；若要设置阵列中的某行对搜索无影响，则在该行的正字线与补字线上施加电压信号V_m，V_m大于V_thp和V_thc的最大值，使联接至该行的任意基本搜索单元处于导通状态，屏蔽这些基本搜索单元的匹配功能；

正字线上施加的电压V_SLp为需要搜索的特定阈值电压V_S加上一个调控电压V_rp；补字线上施加的电压V_SLc为单元阈值电压和V₀减去需要搜索的特定阈值电压V_S再加上一个调控电压V_rc；若V_S等于V_thp，则V_SLp大于V_thp，且V_SLc大于V_thc，此时该基本搜索单元导通；若V_S不等于V_thp，则V_SLp小于V_thp或V_SLc小于V_thc，此时该基本搜索单元关断；

所述阵列的列方向上，每列首行至末行基本搜索单元依次漏、源相接，首行基本搜索单元漏极引出到漏端位线，末行基本搜索单元源极引出到源端位线，通过源端位线与漏端位线的电流来判断正字线与补字线上输入的互补的电压信号与所存储的互补的数据是否匹配，实现数据搜索；

对存储在阵列中的数据进行搜索时，第n行的正字线上施加的电压为该行需要搜索的特定阈值电压加上一个调控电压V_rp；第n行的补字线上施加的电压为单元阈值电压和V₀减去需要搜索的特定阈值电压再加上一个调控电压V_rc；根据读取源端位线或漏端位线的电流，判断每一行的正字线与补字线上的输入电压信号是否与该列所有基本搜索单元对应的两个阈值电压全部匹配，若第m列电流大于一个特定值I₀，则每一行的正字线与补字线上的输入电压信号与该列所存储的数据匹配，否则不匹配；

在源端位线或漏端位线加一个负载，根据读取负载上的电压，判断每一行的正字线与补字线上的输入电压信号是否与该行 所有基本搜索单元对应的两个阈值电压全部匹配，若第m列上的负载上的电压大于一个特定值V_rl，则每一行的正字线与补字线上的输入电压信号与该列所存储的数据匹配，否则不匹配；

若要设置阵列中的某个基本搜索单元对搜索无影响，将该单元阈值电压V_thp与V_thc均取最小值，此时该单元为任意匹配单元，对任意搜索都可匹配。