[发明专利]OLED显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201911321716.0 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN110993675B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 张明;杨杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示面板,包括显示区、以及对应电子元件设置位置的电子元件设置区,其特征在于,所述OLED显示面板包括:
衬底;
驱动电路层,形成在所述衬底一侧;
像素定义层,形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧,所述像素定义层包括多个开口区和多个像素定义区,所述开口区内形成有子像素;
阻挡构件,形成在所述电子元件设置区内,且对应未设置所述子像素的区域设置;
第一无机封装层,形成在所述子像素远离所述驱动电路层的一侧,且延伸覆盖所述像素定义层和所述阻挡构件;
有机封装层,形成在所述第一无机封装层远离所述驱动电路层的一侧,所述有机封装层对应所述电子元件设置区内的开口区、以及所述显示区设置,所述阻挡构件用于阻挡所述子像素上方的有机封装层堆积到所述像素定义层上;
第二无机封装层,形成在所述有机封装层远离所述第一无机封装层的一侧,且延伸覆盖所述第一无机封装层。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,在所述电子元件设置区内,所述阻挡构件包括设置在所述子像素和所述像素定义层之间的第一阻挡构件,在所述第一阻挡构件与相邻的所述像素定义层之间的区域内,所述驱动电路层形成有凹槽。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度小于或等于所述驱动电路层的厚度。
4.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一阻挡构件的高度大于或等于所述像素定义层的厚度。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,在所述电子元件设置区内,所述阻挡构件包括设置在所述像素定义层上的第二阻挡构件,所述第二阻挡构件包括相互不接触的第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分分别靠近所述像素定义层两侧的开口区。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,在所述电子元件设置区内,所述阻挡构件包括设置在所述子像素和所述像素定义层之间的第一阻挡构件、以及设置在所述像素定义层上的第二阻挡构件,所述第二阻挡构件包括相互不接触的第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分分别靠近所述像素定义层两侧的开口区。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,在所述第一阻挡构件与相邻的所述像素定义层之间的区域内,所述驱动电路层形成有凹槽。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度小于或等于所述驱动电路层的厚度。
9.如权利要求7所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一阻挡构件的高度大于或等于所述像素定义层的厚度。
10.一种OLED显示面板的制备方法,OLED显示面板包括显示区、以及对应电子元件设置位置的电子元件设置区,其特征在于,所述OLED显示面板的制备方法包括:
提供衬底;
在所述衬底一侧制备驱动电路层;
在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧制备像素定义层,所述像素定义层包括多个开口区和多个像素定义区,在所述开口区内制备子像素;
在所述电子元件设置区内,且对应未设置所述子像素的区域制备阻挡构件;
在所述子像素远离所述驱动电路层的一侧制备第一无机封装层,所述第一无机封装层延伸覆盖所述像素定义层和所述阻挡构件;
在所述第一无机封装层远离所述驱动电路层的一侧制备有机封装层,所述有机封装层对应所述电子元件设置区内的开口区、以及所述显示区设置,所述阻挡构件用于阻止所述子像素上方的有机封装层堆积到所述像素定义层上;
在所述有机封装层远离所述第一无机封装层的一侧制备第二无机封装层,所述第二无机封装层延伸覆盖所述第一无机封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的