[发明专利]重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺在审
申请号: | 201911321857.2 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN113004042A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 刘骏 | 申请(专利权)人: | 湖南太子新材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/632;C04B35/622 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 黄冠华 |
地址: | 415900 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重结晶 碳化硅 制品 成型 烧结 工艺 | ||
1.重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺,其特征在于,包括以下步骤:
将如下重量份的原料混合:细SiC粉末20-50份,粗SiC颗粒80-50份,以获得混合料;
把混合料加入适量的去离子水,添加混合料质量的0%-0.6%的分散剂,然后进行机械搅拌3h,搅拌速度为300转/min,得到浆料,浆料固相含量为60%-69%;
将浆料注浆成型,注浆成型时间为3h,脱模后阴干12h,放入烘箱烘干12h;
注浆成型后,用砂纸打磨表面,直到露出SiC坯体的呈现棕色的表面;
将SiC坯体放入烧结炉内烧结,得到重结晶碳化硅制品。
2.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺,其特征在于,所述烧结炉为真空气氛烧结炉。
3.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺,其特征在于,所述浆料PH值为8-11。
4.根据权利要求1所述的重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺,其特征在于,所述分散剂为四甲基氢氧化铵。
5.根据权利要求2所述的重结晶碳化硅制品成型及烧结工艺,其特征在于,烧结温度为2250℃-2350℃。
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