[发明专利]光电二极管阵列

权利要求书

1.一种方法，其特征在于，所述方法包括在支撑膜上形成界定光电二极管阵列的第一层堆叠体；在原位形成于所述支撑膜上的所述第一层堆叠体之上形成第二层堆叠体，所述第二层堆叠体界定了电路，通过所述电路，能够经由所述光电二极管阵列外部的导体阵列独立地检测每个光电二极管的光响应；其中形成所述第一层堆叠体包括在第一电极上沉积有机半导体材料，并且在所述有机半导体材料上沉积第二电极，其中所述电路包括具有光敏半导体通道的晶体管，并且所述第二电极还起到实质上阻挡光从所述支撑膜的方向入射到所述光敏半导体通道上的作用。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述第二电极包括在所述有机半导体材料上沉积有机导体材料，以及在所述有机导体材料上沉积反射导体材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法包含：在所述有机半导体材料上沉积所述有机导体材料的连续层，在所述有机导体材料的连续层上沉积所述反射导体材料的连续层，以及图案化所述有机导体材料的连续层和所述反射导体材料的连续层以界定一个或多个像素电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在每个像素电极的区域中，有机导体材料图案的边缘与所述反射导体图案的边缘实质对齐。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括首先图案化所述反射导体材料的连续层，随后利用所述反射导体材料的图案化层作为掩模来图案化所述有机导体材料的连续层。

6.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括支撑膜；第一层堆叠体，界定包含有机半导体材料的光电二极管阵列；以及第二层堆叠体，界定电路，通过所述电路，能够经由所述光电二极管阵列外部的导体阵列独立地检测每个光电二极管的光响应；其中所述电路包括具有光敏半导体通道的晶体管；并且其中所述第一层堆叠体包括位于所述有机半导体材料与所述第二层堆叠体之间的电极，所述电极还起到实质上阻挡光从所述支撑膜的方向入射到所述光敏半导体通道上的作用。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述第二电极包括在所述有机半导体材料上的有机导体材料，以及在所述有机导体材料上的反射导体材料层。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述有机导体材料层和所述反射导体材料层是图案化层，共同界定出一个或多个像素电极。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，在每个像素电极的区域中，所述有机导体材料图案的边缘与所述反射导体图案的边缘实质对齐。

10.一种方法，特征在于，所述方法包括在支撑膜上形成界定光电二极管阵列的第一层堆叠体；在原位形成于所述支撑膜上的所述第一层堆叠体之上形成第二层堆叠体，所述第二层堆叠体界定了电路，通过所述电路，能够经由所述光电二极管阵列外部的导体阵列独立地检测每个光电二极管的光响应；其中形成所述第一层堆叠体包括在不对所述有机半导体材料进行任何等离子体预处理的情况下，用包含至少一种离聚物的阴极材料涂覆有机半导体材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述电路包括具有光敏半导体通道的晶体管，并且其中所述方法包括用反射导体材料涂覆所述阴极材料，其中所述阴极材料和所述反射导体材料一起实质上阻挡光从所述支撑膜的方向入射到所述光敏半导体通道上。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述阴极材料包括PEDOT:PSS。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述反射半导体材料包括无机金属。