[发明专利]具有环形谐振器的电光设备在审

专利信息
申请号: 201911323646.2 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111352257A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: P·勒迈特瑞;N·米希特 申请(专利权)人: 意法半导体(克洛尔2)公司
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/035
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李春辉
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 环形 谐振器 电光 设备
【权利要求书】:

1.一种环形谐振器电光设备,包括:

氮化硅的第一波导;以及

环状的硅的第二波导,其包括在所述第一波导的第二区段之下延伸的第一区段,所述第二波导进一步包括环状硅条,所述环状硅条具有在所述第一区段中从位于所述第二区段之下的最小横截面增大的横截面。

2.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,其中所述第二区段是直线的。

3.根据权利要求2所述的环形谐振器电光设备,其中所述最小横截面基本上正交于所述第二区段的纵向方向。

4.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,其中所述第一波导和所述第二波导被配置为引导给定的光模,所述最小横截面的尺寸使得:在包括所述最小横截面的平面中,所述第一波导和所述第二波导中的所述光模的有效光学指数在差不多0.1以内相等。

5.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,其中至少沿所述第一区段的整个长度,所述条的侧向外边缘跟随圆形,并且所述条的侧向内边缘跟随与所述圆形同心的椭圆形。

6.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,其中在所述最小横截面的层级处,所述第一区段和所述第二区段之间的距离短于150nm。

7.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,其中硅板与所述条的超出所述第一区段的纵向部分的内边缘或外边缘接界。

8.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,进一步包括光耦合到所述第二波导的硅的第三波导。

9.根据权利要求8所述的环形谐振器电光设备,其中所述第三波导是环状的并且包括第三区段,所述环形谐振器电光设备进一步包括第四氮化硅波导,所述第四氮化硅波导包括第四区段,所述第三区段在所述第四区段之下延伸,并且所述第三波导包括具有在所述第三区段中从位于所述第四区段之下的最小横截面增大的横截面的环状硅条。

10.根据权利要求8所述的环形谐振器电光设备,其中所述第三波导是环状的,所述环形谐振器电光设备进一步包括光耦合到所述第三波导的第四硅波导。

11.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,进一步包括氮化硅的第三波导,所述第二波导的第三区段在所述第三波导的第四区段之下延伸,所述环状硅条的所述横截面在所述第三区段中从位于所述第四区段之下的最小横截面增大。

12.根据权利要求1所述的环形谐振器电光设备,其中所述环状的硅的第二波导被设置在SOI类型的层中,所述氮化硅的第一波导被嵌入互连结构的绝缘层中,所述互连结构位于所述SOI类型的层之上。

13.一种环形谐振器电光设备,包括:

氮化硅的第一波导;

环状的硅的第二波导,其包括在所述第一波导的第二区段之下延伸的第一区段,所述第二波导进一步包括环状硅条,所述环状硅条具有在所述第一区段中从位于所述第二区段之下的最小横截面增大的横截面;

第一硅板,与所述条的超出所述第一区段的纵向部分的内边缘接界;以及

第二硅板,与所述条的所述纵向部分的外边缘接界。

14.根据权利要求13所述的环形谐振器电光设备,其中与所述条的所述纵向部分的所述内边缘接界的所述第一硅板被掺杂有第一导电类型,并且与所述条的所述纵向部分的所述外边缘接界的所述第二硅板被掺杂有第二导电类型。

15.根据权利要求14所述的环形谐振器电光设备,其中所述条的所述纵向部分是未掺杂的。

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