[发明专利]一种CF基板用光致变色型负性光刻胶的制备方法

说明书

一种CF基板用光致变色型负性光刻胶及其制备方法，其特征在于，将二季戊四醇六丙烯酸酯、1‑羟基环己基苯基甲酮、过氧化二苯甲酰，按配方混合均匀得到混合物A；将3,4‑环氧甲基3,4‑环氧甲酸酯、环己烷‑1,2‑二羧酸二缩水甘油酯、[环戊二烯‑铁‑对二甲苯]六氟磷盐按配方混合均匀得到混合物B；将混合物A、混合物B同时加入全密封不透光的不锈钢桶，开启搅拌，边搅拌边加入苯并螺吡喃类化合物，至混合均匀后得到最终产品。本发明具有改善了BM材料为了提高遮光浓度增加厚度而导致的固化不完全的缺点。解决了BM材料使用在RBG成膜之后无法精确对位的难题，先对位，曝光后BM材料变色，具有遮光性，达到遮光浓度的要求。

技术领域

本发明涉及一种CF基板用光致变色型负性光刻胶的制备方法，尤其涉及一种CF基板用黑色矩阵材料，属于液晶显示面板技术领域。

背景技术

显示屏(Panel)是TET-LCD中最核心的部分，背光板射出的光线通过偏光板滤掉其他方向的光线，以特定方向的光线使液晶分子扭转。TFT阵列开关控制液晶的扭转，调整光线的亮度，在CF基板上随着RGB三原色的光亮变化，得到所需的色彩显示。

CF基板上除了RGB色层外，每个子像素之间用黑色矩阵BM隔开。BM的基本功能是遮光，提高对比度，避免相连色层混色，减少外界光反射，防止外界光线照射TFT器件的a-Si层而增加漏电流。所以BM材料的遮光浓度OD越高越好。最早使用Cr金属，遮光浓度可以到5.0以上，但反射率高达60％。也有用掺入炭黑的丙烯树脂，遮光浓度在3.0左右，提高炭黑含量或增加膜厚可以提高OD 值，但炭黑含量提高绝缘性能下降，膜厚增加则难以深层固化。CNIO8490738A 中提到使用黑色多孔二氧化钛粒子作为遮光材料，提高遮光性，并提高深层固化性能。CNl08803238A中提到以一定量的具有低介电常数和低反射率的染料取代部分炭黑,而形成上述全新的黑色矩阵复合材料,相比现有技术中的炭黑类黑色矩阵材料,可降低其导电性,从而使其在应用时,可避免高介电常数的炭黑导致中的失效的问题。国内外研究集中在如何在提高OD值的同时降低炭黑对导电性的影响以及如何增强厚层固化的问题上。

BM材料的常规工艺是先清洗玻璃基板，进行BM材料涂布，使用BM材料可以做到基本没有反射光现象(反射率小于5％)，有利于后面RGB色层成膜时可以清楚的实现对准，精度较高。随后进行光刻处理，使用加有Pelicle膜的MASK 用棱镜扫描方式进行扫描，光照到的BM材料被留下，使用碱性显影液去除没有光照到的图案。

然而，除了传统工艺外，改变工艺流程，对CF的结构进行改进：将BM材料涂覆放到RBG色层成膜之后，BM图形要能与RBG图形匹配，由于现有的BM材料是黑色，会覆盖所有颜色，如此MASK遮光板无法对准BM材料应该在的位置，无法对位，自然也就保证不了高精度的要求。如何解决由于结构和工艺改变而对 BM材料的需求，目前国内外并没有相关研究及产品。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：如何提供一种可光致变色并且具有优异深层固化能力的负性光刻胶(BM材料)的制备方法，如何解决BM材料在使用中RBG成膜之后无法精确对位的难题，如何改善了BM材料为了提高遮光浓度增加厚度而导致的固化不完全的缺点。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是提供了一种CF基板用光致变色型负性光刻胶，其特征在于，按重量份数计，其配方包括：

本发明还提供了上述CF基板用光致变色型负性光刻胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将二季戊四醇六丙烯酸酯、1-羟基环己基苯基甲酮、过氧化二苯甲酰，按配方保证在密封不透光中混合均匀得到混合物A；

步骤2：将3,4-环氧甲基3,4-环氧甲酸酯、环己烷-1,2-二羧酸二缩水甘油酯、 [环戊二烯-铁-对二甲苯]六氟磷盐按配方保证在密封不透光中混合均匀得到混合物B；