[发明专利]用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

在经掺杂的硅衬底的第一表面上形成多孔氧化硅层；

在所述硅衬底的与所述第一表面相对的第二表面上形成第一氮化硅层；以及

在所述多孔氧化硅层上形成第二氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多孔氧化硅层包括：形成孔径在10nm至20nm之间的多孔氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多孔氧化硅层包括：

在所述硅衬底的所述第一表面上喷涂多孔氧化硅浆料；以及

对喷涂有所述多孔氧化硅浆料的所述硅衬底进行退火，以形成所述多孔氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中对所述硅衬底进行退火包括：

将所述硅衬底放置在退火腔室中；

在氮气的气氛中将所述退火腔室的温度升至预定温度；以及

在氮气和氧气的气氛中对所述硅衬底进行热氧化。

5.根据权利要求4所述的方法，其中通过对所述硅衬底进行热氧化，在所述硅衬底的所述第一表面与所述多孔氧化硅层之间形成氧化硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述多孔氧化硅层之后并且在形成所述第一氮化硅层之前，在所述硅衬底的所述第二表面上形成氧化铝层。

7.一种太阳能电池，包括：

硅衬底，包括PN结，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；

第一氮化硅层，位于所述硅衬底的所述第二表面上；

第二氮化硅层，位于所述硅衬底的所述第一表面上；以及

多孔氧化硅层，位于所述硅衬底的所述第一表面与所述第二氮化硅层之间。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中所述多孔氧化硅层的孔径在10nm到20nm之间。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，进一步包括：

氧化硅层，位于所述硅衬底的所述第一表面与所述多孔氧化硅层之间。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池，进一步包括：

氧化铝层，位于所述硅衬底的所述第二表面与所述第一氮化硅层之间。