[发明专利]铜互连MIM电容器的制造工艺和铜互连MIM电容器结构

权利要求书

1.一种铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，包括：

提供第一低介电常数层，在所述第一低介电常数层中制造第一铜导电结构；

在所述第一低介电常数层上形成第二低介电常数层；

在所述第二低介电常数层中开设电容图形窗口，使得所述电容图形窗口与所述第一铜导电结构相连，与所述电容图形窗口相连的第一铜导电结构形成MIM电容器的下电极；

沉积介电层；使得所述介电层覆盖在所述第二低介电常数层的上表面，和电容图形窗口的底面、侧面；

向覆盖有所述介电层的电容图形窗口内镀铜形成MIM电容器的上电极；

对所述第二低介电常数层的上表面进行平坦化处理。

2.如权利要求1所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，在所述沉积介电层之后，包括：

从所述第二低介电常数层上的介电层向下刻蚀，形成第二铜导电结构所需的通孔和/或沟槽；

向所述通孔和/或沟槽中镀铜形成所述第二铜导电结构；使得所述第二铜导电结构与所述MIM电容器的下电极互连耦合。

3.如权利要求2所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，在所述对所述第二低介电常数层的上表面进行平坦化处理之后，进行以下步骤：

在所述第二低介电常数层上形成第三低介电常数层；

从所述第三低介电常数层的上表面向下刻蚀，形成第三铜导电结构所需的通孔和/或沟槽；

向所述通孔和/或沟槽中镀铜，形成至少两个所述第三铜导电结构；

使得其中一个所述第三铜导电结构与MIM电容器的上电极互连，形成上电极引线；

使得另一所述第三铜导电结构，通过一所述第二铜导电结构与MIM电容器的下电极互连耦合，形成下电极引线。

4.如权利要求2所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，所述从所述第二低介电常数层上的介电层向下刻蚀，形成第二铜导电结构所需的通孔和沟槽，包括：

在位于所述第二低介电常数层上的介电层上涂覆光刻胶，光刻形成所述通孔的图案；

在所述通孔的图案处向下刻蚀形成所述通孔，使得所述通孔的下端与所述第一铜导电结构相连；

在位于所述第二低介电常数层上的介电层上涂覆光刻胶，光刻形成所述沟槽的图案；

在所述沟槽的图案处向下刻蚀形成所述沟槽，使得所述沟槽与所述通孔连通。

5.如权利要求2所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，所述从所述第二低介电常数层上的介电层向下刻蚀，形成第二铜导电结构所需的通孔和沟槽，包括：

在所述第二铜导电结构所需的通孔和沟槽内表面上，沉积扩散阻挡层。

6.如权利要求1所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，所述提供第一低介电常数层，在所述第一低介电常数层中制造第一铜导电结构，包括：

提供第一低介电常数层；

从所述第一低介电常数层的上表面向下刻蚀形成通孔和/或沟槽；

向所述通孔和/或沟槽的内表面沉积扩散阻挡层；

在覆盖有所述扩散阻挡层的通孔和/或沟槽中镀铜，形成所述第一铜导电结构。

7.如权利要求5或6所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括氮化钽。

8.如权利要求1所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，所述介电层的材料包括氮化硅。

9.如权利要求1所述的铜互连MIM电容器的制造工艺，其特征在于，在所述在所述第一低介电常数层中制造第一铜导电结构之后，所述在所述第一低介电常数层上形成第二低介电常数层之前，进行以下步骤：

对所述第一低介电常数层的上表面进行平坦化处理。