[发明专利]LDMOS的制作方法及LDMOS器件

权利要求书

1.一种LDMOS的制作方法，其特征在于，包括：

S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底内定义有深阱，并在深阱内定义有漂移区和沟道区；

S2：通过热氧化生长工艺在半导体衬底表面形成一层二氧化硅层，其中二氧化硅层的厚度等于LDMOS器件台阶氧化层所需的厚度，并在二氧化硅层上形成一层硬质掩膜层，其中，所述二氧化硅层的厚度大于200埃米；

S3：采用光刻刻蚀工艺在半导体衬底内形成至少一隔离沟槽；

S4：在隔离沟槽内填充介质层，并进行平坦化工艺，

之后进行隔离沟槽台阶高度调整工艺，使介质层低于硬质掩膜层；

S5：去除氮化硅层；

S6：在二氧化硅层上形成光刻胶，通过光刻曝光工艺在对应漂移区的区域上形成光刻胶图形，以光刻胶图形为掩膜进行光刻刻蚀工艺去除未被保护的二氧化硅层；

S7：去除残留二氧化硅层，并进行光刻胶去除和清洗；

S8：进行栅极氧化层生长以及栅极多晶硅沉积，并进行栅极光刻和刻蚀工艺形成栅极结构，其中栅极结构跨沟道区和漂移区，并且栅极多晶硅跨栅极氧化层和二氧化硅层形成的台阶；以及

S9：进行栅极结构的侧墙形成工艺以形成侧墙，形成源漏区以及形成电极的接触层。

2.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述深阱为N阱，所述漂移区为N型漂移区，所述沟道区为P型沟道区。

4.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述深阱为P阱，所述漂移区为P型漂移区，所述沟道区为N型沟道区。

5.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，采用沉积工艺形成所述硬质掩膜层。

6.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述硬质掩膜层为氮化硅层。

7.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺形成所述至少一隔离沟槽。

8.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，至少一隔离沟槽包括位于沟道区内的两个隔离沟槽和位于漂移区内的一个隔离沟槽。

9.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。

10.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述介质层为绝缘介质层。

11.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅层。

12.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，采用湿法工艺调整隔离沟槽台阶高度。

13.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，采用湿法工艺去除氮化硅层。

14.根据权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，采用湿法工艺去除残留二氧化硅层。