[发明专利]一种应用于电能表的提高FLASH寿命的方法在审

专利信息
申请号: 201911325651.7 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN112214160A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 刁瑞朋;李翔;郭吉宝 申请(专利权)人: 青岛鼎信通讯股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 电能表 提高 flash 寿命 方法
【说明书】:

本发明涉及计算机存储技术领域,是一种应用于电能表的用以提高FLASH使用寿命的方法。旨在提供一种延长FLASH使用寿命的方法,解决FLASH因为频繁擦写导致失效和损坏的问题。在当前的实际开发实践活动中,数据往往是存储在FLASH固定地址空间的,当数据被频繁更新时,由于FLASH需要先擦除后编程,所以数据每更新一次都会导致FLASH的P/E寿命损耗一次。为了解决该问题,本方发明可以做到每次写入数据时都对数据存储地址进行一次动态调整,使每次写入位置都分布于FLASH的空闲区域中,这样可以明显减少擦写操作的执行次数,从而延长FLASH使用寿命。

技术领域

本发明涉及计算机存储技术领域,是一种应用于电能表的用以延长FLASH 使用寿命的方法。

背景技术

近年来,FLASH存储技术以其非易失性、读写速度快,存储容量大,可重复擦写等优点,被越来越多的计算机设备作为外部存储器使用。

但是,FLASH的P/E是有寿命限制的,大多数FLASH的P/E寿命都在10万次以下,若存FLASH中某个存储单元中内容被频繁改写,则一旦超过P/E寿命就可能出现存储单元不稳定甚至损坏的情况。

针对此问题,本专利发明了一种方法,用于FLASH芯片的存储管理,达到延长FLASH的使用寿命。

发明内容

本发明旨在提供一种延长FLASH使用寿命的方法,解决FLASH因为频繁擦写导致失效和损坏的问题。

在当前的实际开发实践活动中,数据往往是存储在FLASH固定地址空间的,当数据被频繁更新时,由于FLASH需要先擦除后编程,所以数据每更新一次都会导致FLASH的P/E寿命损耗一次。为了解决该问题,本方发明可以做到每次写入数据时都对数据存储地址进行一次动态调整,使每次写入位置都位于空闲区域,这样可以明显减少擦写操作的执行次数,从而延长FLASH使用寿命。

本发明的技术方案是:使用FLASH上的一个或多个sector进行组合,得到一个可用的存储空间,再将该存储空间划分为若干个block,就得到了由若干个 block连在一起组成的队列,每次写入数据时就从队列中抽取一个空闲block用于保存数据,每次读出数据时就从队列中找到最近一次抽取的block并将其中数据读出。

附图说明

图1为多个sector组成存储空间示意图;

图2为单个sector上block分布示意图;

图3为整个存储空间上block分布示意图;

具体实施方式

本发明的方法,使用FLASH上的一个或多个sector进行组合,得到一个可用的存储空间,参见图1所示。再将该存储空间划分为若干个block,就得到了由若干个block连在一起组成的队列,参见图2、图3所示。每次写入数据时就从队列中抽取一个空闲block用于保存数据,每次读出数据时就从队列中找到最近一次抽取的block并将其中数据读出。

主要方案如下:

1.将sector组合成存储区,如图1所示;

2.每个sector划分为若干个block,如图2所示;

3.经过第1、2两步可得到一个以block为最小存储单元的存储区,如图3 所示。

4.需要在block队列中找可用位置时,基本算法是通过序号进行检索,从第一个sector的第一个block开始向后依次查找block的序号,使用过的block其序号会是一个累加值,未使用过的block其序号是 0xFFFFFFFF,这样通过判断序号是否为0xFFFFFFFF就可以找到最新 block的位置。

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