[发明专利]基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，以多孔多晶硅模板为衬底，利用磁控溅射技术在多孔多晶硅模板的表面预沉积CdS薄膜；具体过程如下：

步骤101，将清洗干净的多晶硅片，放入氢氟酸和硝酸铁溶液中，在140℃下刻蚀50min，获得多孔多晶硅模板；

步骤102，将多孔多晶硅模板固定在磁控溅射室的样品支架上，对磁控溅射室抽真空到10^-6Pa～10^-4Pa，然后向磁控溅射室充入氩气，保持磁控溅射室真空度为0.1Pa～10Pa；

步骤103，调整CdS靶材和多孔多晶硅模板的距离为3cm～6cm，设置溅射功率为50W～120W；

步骤104，打开CdS靶材的挡板，开始溅射，溅射时间10s～60s，在多孔多晶硅模板的表面上预沉积厚度为15～100nm的CdS薄膜，并且对多孔多晶硅表面进行修饰

步骤2，再利用化学水浴法沉积一层CdS薄膜，制备CdS/Si异质结原型二极管；

步骤3，进行退火处理，对异质结界面的缺陷态进行调控；具体过程如下：

步骤301，把CdS/Si异质结放入高温炉，退火温度为100℃～700℃，在氩气氛围中退火1～5h；

步骤302，利用磁控溅射技术在CdS/Si异质结的正面制备ITO电极，利用真空蒸镀在背面制备Ag电极，制备ITO/CdS/Si/Ag原型二极管；

步骤303，从ITO电极和Ag电极用银胶引出银导线，施加正向偏压采集近红外光发射光谱。

2.根据权利要求1所述的基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤2的具体过程如下：

步骤201，将氯化镉、硫脲和氨水制备成溶液；

步骤202，将上述制备的溶液在水浴中搅拌加热至40℃～110℃，然后再加入氯化铵，搅拌3min；

步骤203，将所获得的多孔多晶硅模板垂直放入反应溶液，反应一段时间，制备CdS/Si异质结；

步骤204，取出制备的CdS/Si异质结，在室温用氮气吹干。

3.根据权利要求2所述的基于界面缺陷态发光CdS/Si原型近红外光二极管的制备方法，其特征在于，所述氯化镉的浓度为0.01～0.1mol/L，硫脲的浓度为0.05～0.2mol/L，氨水的浓度为2.25mol/L，氯化铵的浓度为0.05～0.2mol/L。