[发明专利]一种正极材料及其制备方法、锂硫电池在审
申请号: | 201911326348.9 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN111092207A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 伍连彬 | 申请(专利权)人: | 深圳天元羲王材料科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/052;C01B32/182 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;孙果 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正极 材料 及其 制备 方法 电池 | ||
1.一种正极材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:
采用气相沉积法在导电衬底表面制备第一石墨烯薄膜;
将所述导电衬底放入真空密室内并通入硫蒸汽,在所述第一石墨烯薄膜表面附着一层硫分子层;
采用气相沉积法在所述导电衬底的硫分子层表面制备第二石墨烯薄膜,制得所述正极材料。
2.根据权利要求1所述正极材料的制备方法,其特征在于,所述采用气相沉积法在所述导电衬底的硫分子层表面制备第二石墨烯薄膜之后还包括步骤:
在所述第二石墨烯薄膜表面制备N层依次交替的硫分子层和石墨烯薄膜,所述1≤N≤3。
3.根据权利要求1所述正极材料的制备方法,其特征在于,所述导电衬底为铜箔或镍箔。
4.根据权利要求1所述正极材料的制备方法,其特征在于,所述采用气相沉积法在导电衬底表面制备第一石墨烯薄膜的步骤包括:
将导电衬底放置在真空密室内,加入烃类气体,然后将所述烃类气体加热至800-1200℃,使所述烃类气体分裂成氢气和碳原子;
所述碳原子渗入到所述导电衬底内部,待温度降低后所述碳原子重新从所述导电衬底内部渗出,在所述导电衬底表面生成第一石墨烯薄膜。
5.一种正极材料,其特征在于,包括导电衬底以及依次层叠设置在所述导电衬底表面的第一石墨烯薄膜和硫分子层以及第二石墨烯薄膜。
6.根据权利要求5所述的正极材料,其特征在于,所述第二石墨烯薄膜上还设置有N层依次交替的硫分子层和石墨烯薄膜,所述1≤N≤3。
7.一种锂硫电池,其特征在于,包括权利要求5-6任一所述的正极材料。
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