[发明专利]一种显示基板、其制备方法及显示装置有效
申请号: | 201911326576.6 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN110993678B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 张文强;谢江容;赖天奇;王磊磊;郑克宁;高营昌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制备 方法 显示装置 | ||
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示基板、其制备方法及显示装置。本发明的显示基板,包括衬底基板和位于衬底基板上的像素定义层,所述像素定义层限定出多个像素区域,所述显示基板还包括相邻的第一像素和第二像素,所述第二空穴传输层与所述第一像素的光功能层的接触界面处设置有间隔功能层,所述间隔功能层用于阻挡相邻像素之间的空穴传输;所述光功能层至少包括空穴传输层。本发明通过设置间隔功能层,有效阻止了空穴在相邻像素的空穴传输层之间或者空穴传输层与发光层之间的迁移,避免相邻像素间的伴随发光,从而有效提高单色画面的颜色饱和度,提高OLED显示面板的色域。而且,本发明的显示基板制备方法简单,易于操作。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示基板、其制备方法及显示装置。
背景技术
有源矩阵有机电致发光器件(AM-OLED)是新一代新型显示技术,应用前景巨大。OLED属于自主发光,由三种基色RGB构成阵列像素,其器件通常包括依次设置的:基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、以及阴极。OLED器件的发光原理为:在电压驱动下,电子由阴极注入到电子传输层,然后经电子传输层迁移到发光层,空穴由阳极注入到空穴传输层,然后经空穴传输层也迁移到发光层,电子与空穴在发光层中相遇,形成激子,激子激发发光分子发出可见光。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提供一种显示基板、其制备方法及显示装置,所述显示基板是AMOLED面板的一部分,可有效避免由于串扰造成的像素之间的伴随发光,提高单色画面的颜色饱和度及面板色域。
本发明公开了一种显示基板,包括衬底基板和位于所述衬底基板上的像素定义层,所述像素定义层限定出多个像素区域,所述显示基板包括相邻的第一像素和第二像素,所述第一像素包括光功能层,所述光功能层至少包括第一空穴传输层,
所述第二像素包括第二空穴传输层;
所述第二空穴传输层与所述光功能层的接触界面处设置有间隔功能层,所述间隔功能层用于阻挡相邻像素之间的空穴传输。
可选地,所述光功能层包括第一空穴传输层和第一发光层。
可选地,所述第二像素的阳极与第二空穴传输层之间设置有所述间隔功能层,
所述间隔功能层与所述第一发光层及第一空穴传输层接触,且在所述第一发光层远离衬底基板的表面上有部分所述间隔功能层。
可选地,所述间隔功能层的HOMO能级与所述第一空穴传输层的HOMO能级相差>0.3eV,所述间隔功能层的HOMO能级与所述第二像素的第二发光层及所述第二空穴传输层的HOMO能级均相差≤0.3eV。
可选地,所述第一发光层远离第一空穴传输层一侧的表面设置有所述间隔功能层,
所述间隔功能层与所述第二空穴传输层接触,且在所述间隔功能层远离衬底基板的表面上有部分所述第二空穴传输层。
可选地,所述第一发光层与空穴传输层之间设置有所述间隔功能层;
所述间隔功能层与所述第二空穴传输层接触。
可选地,在所述第一发光层远离衬底基板的表面上有部分所述第二空穴传输层。
可选地,所述间隔功能层在衬底基板的正投影覆盖所述第一发光层在衬底基板的正投影,且所述间隔功能层在衬底基板的正投影的面积大于所述第一发光层在衬底基板的正投影的面积。
可选地,所述间隔功能层的HOMO能级与所述第二空穴传输层的HOMO能级相差>0.3eV,所述间隔功能层的HOMO能级与所述第一发光层及第一空穴传输层的HOMO能级均相差≤0.3eV。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的