[发明专利]镀膜设备及其应用

权利要求书

1.一镀膜设备的镀膜方法，其特征在于，包括步骤A：制备第一膜层于基材表面，其中所述步骤A包括步骤：

A1、输送气态的原料至一设备主体的腔体的腔室；和

A2、所述设备主体基于气态的原料制备所述第一膜层于该基材的表面，其中进一步包括步骤B：制备第二膜层于该基材的表面，其中所述步骤B包括步骤：

B1、将液态的原料气化为气态的原料并输送至所述设备主体；和

B2、所述设备主体基于气态的原料制备第二膜层于该基材的表面，其中所述镀膜方法包括先后进行的所述步骤A和所述步骤B，以在该基材的表面依次制备所述第一膜层和所述第二膜层，或者所述步骤A后于所述步骤B执行，以在该基材的表面依次制备所述第二膜层和所述第一膜层；

其中包括步骤C：制备第三膜层于该基材的表面，其中所述步骤C包括步骤：

C1、将气态的原料输送至所述设备主体，并将液体的原料气化为气态的原料输送至所述设备主体；和

C2、所述设备主体基于气态的原料制备第三膜层于该基材的表面，

其中所述步骤A2包括步骤：提供射频电场作用于气态的原料以制备所述第一膜层；

其中所述步骤B2包括步骤：通过脉冲电源提供脉冲电压作用于气态的原料以制备所述第二膜层；

其中所述步骤C2包括步骤：提供射频电场对气态的原料进行放电以形成等离子体环境并使反应气体处于高能状态，和提供脉冲电压使处于高能量状态的气体粒子沉积以形成所述第三膜层。

2.根据权利要求1所述镀膜设备的镀膜方法，其中所述镀膜方法包括先后进行的所述步骤A和所述步骤C，或者所述步骤A后于所述步骤C执行。

3.根据权利要求1所述镀膜设备的镀膜方法，其中所述步骤A1包括步骤：A11、储存气态的原料于一气体储存器；和A12、输送气态的原料于所述设备主体的一腔室。

4.根据权利要求1所述镀膜设备的镀膜方法，其中所述步骤B1包括步骤：B11、储存液态的原料于一液体储存器；和B12、气化液态的原料为气态的原料并输送至所述设备主体的一腔室。

5.根据权利要求1所述镀膜设备的镀膜方法，其中所述步骤C1包括步骤：C11、储存液态的原料与一液体储存器，和储存气态的原料于一气体储存器；C12、输送气态的原料至所述设备主体的一腔室；和C13、气化液态的原料并输送至所述腔室。

6.根据权利要求5所述镀膜设备的镀膜方法，其中所述步骤C12后于所述步骤C13执行，或者所述步骤C12和所述步骤C13同时进行。

7.根据权利要求4所述镀膜设备的镀膜方法，通过加热或降压的方式气化液态的原料为气态的原料。