[发明专利]硅氮化膜蚀刻液组合物

说明书

本发明提供一种硅氮化膜蚀刻液组合物，其特征在于，包含(A)磷酸、(B)硅树脂和(C)水。本发明的硅氮化膜蚀刻液组合物提供以下效果：容易调节包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中对于氮化物膜的蚀刻选择比而能够仅选择性蚀刻氮化物膜，即使处理张数增加，选择比变化率也低，因而维持蚀刻性能，且抑制蚀刻后冲洗工序中粒子的产生及残留。

技术领域

本发明涉及硅氮化膜蚀刻液组合物。

背景技术

3D NAND闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中仅选择性去除氮化物膜的工序(湿法去除氮化物(Wet removal of nitride))来制造。此时，在不对氧化物膜造成损伤的同时将氮化物膜完全去除是氮化物膜去除工序的核心技术之一。

一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不对氧化物膜造成损伤的同时将氮化物膜完全去除的效果。

韩国公开专利第10-2018-0004871号和韩国注册专利第10-1769349号公开了一种蚀刻液组合物，其对于硅氧化物膜和硅氮化物膜，仅选择性蚀刻硅氮化物膜。但是，实际情况是，上述文献仍未解决因使用二氧化硅作为添加剂而容易发生凝胶化(gelation)，且因对于水的溶解度低而在蚀刻后冲洗工序中的粒子产生及残留问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国公开专利第10-2018-0004871号

专利文献2：韩国注册专利第10-1769349号

发明内容

所要解决的课题

本发明是用于改善上述以往技术的问题的发明，其目的在于，提供一种硅氮化膜蚀刻液组合物，上述硅氮化膜蚀刻液组合物容易调节包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中对于氮化物膜的蚀刻选择比而能够仅选择性蚀刻氮化物膜，即使处理张数增加，选择比变化率也低，因而维持蚀刻性能，且抑制蚀刻后冲洗工序中粒子的产生及残留。

解决课题的方法

为了实现上述目的，本发明提供一种硅氮化膜蚀刻液组合物，其特征在于，包含(A)磷酸、(B)硅树脂和(C)水。

发明效果

本发明的硅氮化膜蚀刻液组合物提供以下效果：容易调节包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中对于氮化物膜的蚀刻选择比而能够仅选择性蚀刻氮化物膜，即使处理张数增加，选择比变化率也低，因而维持蚀刻性能，且抑制蚀刻后冲洗工序中粒子的产生及残留。

具体实施方式

本发明的硅氮化膜蚀刻液组合物包含(A)磷酸和(B)硅树脂，作为溶剂，可以包含(C)水。

上述蚀刻液组合物的特征在于，能够在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中仅选择性蚀刻上述氮化物膜，进而容易调剂成期望的选择比。作为具体例，上述氧化物膜优选包含SiO₂，上述氮化物膜优选包含SiN。

上述蚀刻液组合物用于3D NAND闪存制造工序，能够使上述氮化物膜去除工序中所发生的副反应氧化物的残留以及氧化物膜损伤不良问题最小化。

此外，上述蚀刻液组合物包含上述硅树脂，从而具有对于水的溶解度高，因此不发生蚀刻后冲洗工序中粒子产生及残留问题的优点。

此外，上述蚀刻液组合物即使处理张数增加也能够维持蚀刻性能而增加组合物的寿命。

以下，对于本发明的蚀刻液组合物所包含的磷酸、硅树脂和水进行更详细说明。

(A)磷酸