[发明专利]SiC基板的分割方法以及分割装置

权利要求书

1.一种SiC基板的分割方法，其特征在于，具有：

刻划工序，在所述SiC基板的一个主面通过沿预先确定的预定分割位置以100mm/s至300mm/s的扫描速度一边扫描一边照射激光，从而形成深度为12μm至30μm、宽度为1μm至10μm的剖视呈U字形的槽状的刻划线；

裂片工序，将形成有所述刻划线的所述SiC基板以与所述一个主面相向的另一个主面作为上表面的姿态水平地载置于以规定的间隔分离的一对裂片板上，在该状态下通过使劈刀从所述SiC基板的上表面侧抵接于所述预定分割位置，并进一步下压所述劈刀来使裂纹自所述刻划线伸展，由此在所述预定分割位置将所述SiC基板分割。

2.根据权利要求1所述的SiC基板的分割方法，其特征在于，

所述激光为脉冲宽度为纳秒级且波长为355nm的纳秒UV激光。

3.一种SiC基板的分割装置，其特征在于，具有：

刻划单元，其在所述SiC基板的一个主面通过沿预先确定的预定分割位置以100mm/s至300mm/s的扫描速度一边扫描一边照射激光，从而形成深度为12μm至30μm、宽度为1μm至10μm的剖视呈U字形的槽状的刻划线；

裂片单元，其将形成有所述刻划线的所述SiC基板以与所述一个主面相向的另一个主面作为上表面的姿态水平地载置于以规定的间隔分离的一对裂片板上，在该状态下通过使劈刀从所述SiC基板的上表面侧抵接于所述预定分割位置，进一步下压所述劈刀来使裂纹自所述刻划线伸展，由此在所述预定分割位置将所述SiC基板分割。