[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201911327443.0 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN110993625B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 马涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板之上形成第一电极层;
在所述第一电极层的背离所述基板的一面形成导体层;
对所述导体层进行图案化处理形成导体图案;
在所述导体图案的背离所述基板的一面形成第二电极层,对所述第二电极层进行图案化处理形成第二电极,所述导体图案在所述基板上的正投影位于所述第二电极在所述基板上的正投影内;
对所述第一电极层进行图案化处理形成第一电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,对所述第一电极层进行图案化处理和对所述第二电极层进行图案化处理通过同一次光刻工艺完成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层的材质是氧化铟锡,所述导体层的材质是金属。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,通过半透式掩膜板完成对所述导体层的图案化处理和对所述第一电极层的图案化处理。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述导体层的背离所述基板的一面形成光刻胶;
在所述光刻胶之上覆盖所述半透式掩膜板,其中,所述半透式掩膜板的半透光区域对应所述第一电极层的第一区域,所述半透式掩膜板的遮挡区域对应所述第一电极层的第二区域;
对所述光刻胶进行曝光和显影以去除全透光区域的所述光刻胶;
对所述全透光区域的所述导体层进行刻蚀;
对所述光刻胶进行灰化处理以去除所述第一区域对应的光刻胶;
对所述第一电极层进行刻蚀形成所述第一电极;
对所述第一区域对应的所述导体层进行刻蚀形成所述导体图案。
6.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板通过权利要求1~5任意一项所述的制备方法制备而成,所述阵列基板包括:
基板;
第一电极,设于所述基板之上;
导体图案,设于所述第一电极的背离所述基板的一面;
第二电极,设于所述导体图案的背离所述基板的一面,所述导体图案在所述基板上的正投影位于所述第二电极在所述基板上的正投影内。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影相同。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
有机膜层,设于所述基板与所述第一电极之间。
9.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
栅极,设于所述基板之上;
栅绝缘层,设于所述栅极的背离所述基板的一面;
有源层,设于所述栅绝缘层的背离所述基板的一面;
源漏极,设于所述有源层的背离所述基板的一面;
缓冲层,设于所述源漏极的背离所述基板的一面;
有机膜层,设于所述缓冲层的背离所述基板的一面,所述第一电极设于所述有机膜层的背离所述基板的一面;所述有机膜层上设置有过孔,所述过孔贯穿至所述缓冲层,所述过孔的一侧设置有所述第一电极的第一区域,另一侧设置有所述第一电极的第二区域,所述第二区域的背离所述基板的一面设有所述导体图案和所述第二电极。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:权利要求6~9任意一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求10所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的