[发明专利]一种抗水解红光LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种抗水解红光LED芯片及其制作方法，所述芯片包括发光结构、透明导电层、第一电极、第二电极、保护层和粘附层，所述粘附层设于第二电极上，所述保护层附着在发光结构、透明导电层、第二电极和粘附层的表面和侧壁，所述保护层由SiO₂、SiN_x、Al₂O₃和AlN中的一种或几种制成，所述保护层的厚度为d，所述发光结构发出的光的波长为λ，d＝(1/4)Kλ，K为整数，所述粘附层由Ti制成。本发明的保护层不仅可以保护芯片，还可以减少芯片侧面的全反射，提高芯片的出光效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种抗水解红光LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED具有体积小，重量轻，功耗低，寿命长，响应速度快，安全性好等优点。在半导发光器件这一高技术领域，近年来世界上先进的国家发展很快。新器件研制成功后迅速商品化，并很快形成产业，特别是己经广泛应用的发光二级管。

参见图1，现有的红光LED芯片包括第一半导体层21，设有第一半导体层21正面的有源层22，设于有源层22上的第二半导体层23，设于第二半导体层 23上的透明导电层24，设于透明导电层24上的第二电极31，以及设于第一半导体层21背面的第一电极32，其中，第一半导体层21和第一电极32之间设有银胶层11，所述银胶层11用于将第一电极32粘附在第一半导体层21上。

现有的红光LED芯片一般用于显示屏、指示灯，参见图2，现有的红光LED 芯片因为封装灯珠受潮之后，外加一反向电压，就会形成一个电解通道，第一电极32的金属会发生水解，从而迁移到第二电极31，其中，水解金属会附着在芯片的侧壁上，使芯片发生短路。此外，芯片中的银胶层11也会溢出造成芯片短路。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种抗水解红光LED芯片，通过形成保护层，以保护芯片发生水解、短路，同时保证芯片的出光效率。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种抗水解红光LED芯片的制作方法，通过形成保护层，以保护芯片发生水解、短路，同时保证芯片的出光效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种抗水解红光LED芯片，包括发光结构、透明导电层、第一电极、第二电极、保护层和粘附层，所述发光结构包括第一半导体层、设于第一半导体层正面的有源层、设于有源层上的第二半导体层，所述透明导电层设于第二半导体层上，所述第一电极设于第一半导体层的背面，所述第二电极设于透明导电层上，所述粘附层设于第二电极上；

所述保护层附着在发光结构、透明导电层、第二电极和粘附层的表面和侧壁；

所述保护层由SiO₂、SiN_x、Al₂O₃和AlN中的一种或几种制成；

所述保护层的厚度为d，所述发光结构发出的光的波长为λ，d＝(1/4)Kλ， K为整数；

所述粘附层由Ti制成。

作为上述方案的改进，所述保护层和发光结构的侧壁之间还设有钝化层，所述钝化层将保护层粘附在发光结构的侧壁上，所述钝化层由GaO制成。

作为上述方案的改进，所述钝化层的厚度为10～30埃。

作为上述方案的改进，所述发光结构的侧壁具有倾斜角度，所述倾斜角度为45～75度。

作为上述方案的改进，所述第一电极包括第一Au层、Ge/Au层和第二Au 层，所述Ge/Au层设置在第一Au层和第二Au层之间；

所述第二电极包括Cr层、Ti层和第三Au层，所述Cr层设置在发光结构上，所述Ti层设置在Cr层和第三Au层之间。