[发明专利]一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构有效

专利信息
申请号: 201911329303.7 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN111017270B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 武士轻;王永滨;王立武;吕智慧;唐明章;贾贺;龙龙;郝世杰;熊志伟;梁浩 申请(专利权)人: 北京空间机电研究所
主分类号: B64G1/62 分类号: B64G1/62
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 任林冲
地址: 100076 北京市丰*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 圆管 填充 泊松比 缓冲 结构
【权利要求书】:

1.一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构,其特征在于,包括圆管胞元及基板,

基板包括上基板、下基板和侧向圆弧基板,上基板、下基板和侧向圆弧基板首尾相接,围成具有负泊松比特性的封闭结构,侧向圆弧基板通过迭代方式确定其形状;

圆管胞元置于基板中,根据确定n1的个数,其中n1为基板中心区域水平布置圆管胞元的数量,L1侧向圆弧基板的最小间距;D为圆管胞元的直径;

在基板中心区域水平布置圆管胞元,在该层上下,分别按照等差数列方式逐层递增布置圆管胞元,公差为1,直至与上基板、下基板贴合为止;与圆管胞元的接触区域均相互固定连接;所有圆管胞元与侧向圆弧基板均不接触;

侧向圆弧基板圆弧角20-40°;

在设计中,首先确定基板的基本尺寸:长宽高L、H、W,其设计依据为缓冲装置所能提供的缓冲空间,基本尺寸确定后,设置垂直于L、W面的为X方向,垂直于L、H面的为Z方向,垂直于H、W面的为Y方向;基板X方向的位移与Y方向的位移之比,具有负泊松比效应;Z方向无位移变化,具有零泊松比效应;

力作用在上基板上,在压溃过程中,载荷逐渐从上基板传递圆管胞元并依次向下传递,中心区域圆管首先被压溃,再上下依次压馈,压馈过程中侧向基板与圆管胞元不接触,宏观的泊松比效应完全依靠基板来保证,载荷由上基板传递至内部填充的圆管上,均匀向下传递,且圆管在X方向上的布置存在沙漏式,在压溃过程中,逐渐压溃数量不同圆管胞元,从而出现多个阶梯平台力,进而得到不同的缓冲过载,单个结构不装配即可得到层级的压溃力,便于降低冲击过载。

2.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构,其特征在于:侧向圆弧基板厚度与上基板、下基板一致。

3.根据权利要求2所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构,其特征在于:侧向圆弧基板厚度为0.1-0.3mm。

4.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构,其特征在于:基板的压溃平台力为3000-5000N。

5.根据权利要求1所述的一种圆管填充的非正泊松比缓冲吸能结构,其特征在于:圆管胞元为铝合金或钛合金,圆管胞元厚度为0.03-0.05mm。

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