[发明专利]垂直型发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直型紫外发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供生长衬底；

在所述生长衬底的一侧主表面上生长至少第一缓冲层，其中所述第一缓冲层的材料为本征GaN、本征InGaN以及本征AlInGaN中的任意一种或组合；

在所述第一缓冲层上生长n型接触层；

在所述n型接触层上生长基于AlGaN材料体系的发光外延层，其中所述发光外延层包括与所述n型接触层接触的n型AlGaN半导体层；

在所述发光外延层远离所述n型接触层的一侧键合转移衬底；

以所述第一缓冲层为剥离牺牲层，去除所述第一缓冲层，以从所述第一缓冲层和所述生长衬底的接触面剥离所述生长衬底；

图案化所述n型接触层，以保留部分所述n型接触层；

在保留的所述n型接触层远离所述发光外延层的一侧形成第一电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一缓冲层为组分均匀的单层结构、组分渐变的单层结构或组分不同的至少两层结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述第一缓冲层中，镓元素的含量在朝向所述生长衬底的一侧逐渐增加或逐渐减少，并且/或者铝元素的含量在朝向所述n型接触层的一侧逐渐增加或逐渐减少，并且/或者铟元素的含量在朝向所述n型接触层的一侧逐渐增加或逐渐减少。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一缓冲层与所述生长衬底的接触面的材料为本征GaN。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n型接触层的材料为n型GaN或n型InGaN。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述n型接触层上生长基于AlGaN材料体系的发光外延层的步骤包括：

所述n型接触层上依次生长所述n型AlGaN半导体层、AlGaN量子阱层以及p型AlGaN半导体层或p型GaN半导体层。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：

在所述转移衬底远离所述发光外延层的一侧形成第二电极；其中所述第一电极为点状电极或条状电极，所述第二电极为面电极。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述发光外延层远离所述n型接触层的一侧键合转移衬底的步骤包括：

在所述发光外延层远离所述n型接触层的一侧形成反射镜层，并对所述反射镜层进行图案化，以形成反射镜图案；

在所述反射镜图案及所述反射镜图案所外露的所述发光外延层上形成第一金属键合层；

在所述转移衬底的一侧主表面上形成第二金属键合层；

将所述第一金属键合层和所述第二金属键合层进行键合。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化所述n型接触层的步骤之后，进一步包括：

从所述发光外延层远离所述转移衬底的一侧对所述发光外延层进行图案化，以形成发光台面结构；

在所述发光台面结构的侧壁以及所述发光台面结构所外露的区域上形成绝缘层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化所述n型接触层的步骤之后，进一步包括：

对从所述发光外延层远离所述转移衬底的一侧进行粗化处理，以形成粗化结构。