[发明专利]一种单晶硅加料数据的确定方法、装置及设备

权利要求书

1.一种单晶硅加料数据的确定方法，其特征在于，所述方法包括：

获取单晶炉的工步状态；

在所述工步状态为卸离硅棒工步的情况下，获取所述单晶炉的运行参数数据；

在根据所述运行参数数据，确定开始进行加料操作的情况下，获取所述单晶炉中坩埚的信息、所述单晶炉所需原料的原料信息，并根据所述坩埚的信息、所述原料信息和所述运行参数数据，确定加料数据。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述加料数据包括：加料原料重量和加料掺杂剂重量；

所述在根据所述运行参数数据，确定开始进行加料操作的情况下，获取所述单晶炉中坩埚的信息、所述单晶炉所需原料的原料信息，并根据所述坩埚的信息、所述原料信息和所述运行参数数据，确定加料数据的步骤，包括：

在根据所述运行参数数据，确定开始进行所述加料操作的情况下，从单晶硅生产管理系统获取所述坩埚的信息和所述原料信息；

根据所述坩埚的信息、所述原料信息和所述运行参数数据，确定所述加料原料重量；

根据所述坩埚的信息、所述原料信息、所述运行参数数据和所述加料原料重量，确定所述加料掺杂剂重量。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述坩埚的信息包括：所述坩埚的型号、所述坩埚的尺寸；

所述原料信息包括：加料原料的密度；

所述运行参数数据包括：引晶工序时所述坩埚的第一位置和所述卸离硅棒工步时所述坩埚的第二位置；

所述根据所述坩埚的信息、所述原料信息和所述运行参数数据，确定所述加料原料重量的步骤，包括：

根据所述坩埚的型号和所述坩埚的尺寸，对所述坩埚进行区域划分，得到多个区域，以及每个所述区域对应的体积计算公式；

根据所述第一位置和所述第二位置，确定原料的液面下降尺寸；

根据所述体积计算公式和所述液面下降尺寸，确定所述原料的消耗量；

根据所述消耗量和所述加料原料的密度，确定所述加料原料重量。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，

所述原料信息还包括：单晶硅棒的电阻率、所述原料的掺杂剂杂质原子数量、所述单晶硅棒的掺杂剂浓度、所述加料原料的杂质浓度、掺杂剂的分凝系数、所述加料操作后制备出的单晶硅棒的头部电阻率对应的杂质浓度和所述掺杂剂的杂质浓度；

所述运行参数数据还包括：所述单晶硅棒的尺寸；

所述坩埚的信息还包括：所述坩埚的设计总装料体积；

所述根据所述坩埚的信息、所述原料信息、所述运行参数数据和所述加料原料重量，确定所述加料掺杂剂重量的步骤，包括：

根据所述单晶硅棒的尺寸，确定所述单晶硅棒的体积；

根据所述坩埚的设计总装料体积、所述体积计算公式和所述液面下降尺寸，确定剩余原料的体积；

根据所述原料信息、所述单晶硅棒的体积和所述剩余原料的体积，确定所述剩余原料的掺杂剂浓度；

根据所述剩余原料的体积和所述剩余原料的密度，确定所述剩余原料的重量；

根据所述剩余原料的重量、所述剩余原料的掺杂剂浓度、所述加料原料重量和所述原料信息，确定所述加料掺杂剂重量。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述运行参数数据包括：所述单晶硅棒的长度、所述单晶炉的运行时间和炉内压力；

所述在根据所述运行参数数据，确定开始进行加料操作的情况下，获取所述单晶炉中坩埚的信息、所述单晶炉所需原料的原料信息，并根据所述坩埚的信息、所述原料信息和所述运行参数数据，确定加料数据的步骤，包括：

在所述单晶硅棒的长度大于预设长度值、所述运行时间小于预设时间值，且所述炉内压力小于第一预设压力值的情况下，确定开始进行所述加料操作；

获取所述坩埚的信息和所述原料信息，并根据所述坩埚的信息、所述原料信息和所述运行参数数据，确定所述加料数据。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述根据所述消耗量和所述加料原料的密度，确定所述加料原料重量的步骤之后，所述方法还包括：

根据所述加料原料重量，从预设的数据库中，确定所述加料原料中包含的新拉晶原料的重量和重复拉晶原料的重量。