[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201911330163.5 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113013245A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 田意;徐大伟 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
1.一种碳化硅半导体器件，其特征在于，所述碳化硅半导体器件包括：
N型衬底；
N型漂移层，位于所述N型衬底上；
P型阱区，位于所述N型漂移层中；
N型源区，位于所述P型阱区内；
栅介质层，至少横跨于所述N型源区及所述N型漂移层之间；
栅极层，位于所述栅介质层上；
隔离介质层，包覆于所述栅极层；
源极金属层，与所述N型源区接触，并延伸覆盖于所述隔离介质层上，位于所述隔离介质层上的所述源极金属层具有贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其特征在于：所述隔离介质层的厚度介于500纳米～1500纳米之间。
3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其特征在于：所述通孔阵列包括矩形孔阵列及圆形孔阵列中的一种。
4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其特征在于：所述源极金属层的厚度介于5微米～10微米之间。
5.根据权利要求4所述的碳化硅半导体器件，其特征在于：所述源极金属层包括依次层叠的第一Ti层、Al层、第二Ti层、Ni层及Ag层，其中，所述第一Ti层的厚度介于100～300纳米，所述Al层的厚度介于3微米～6微米，所述第二Ti层的厚度介于100纳米～300纳米，所述Ni层的厚度介于1微米～3微米，所述Ag层的厚度介于300纳米～1000纳米。
6.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其特征在于：所述栅介质层的材料包括二氧化硅，其厚度介于40纳米～100纳米之间。
7.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其特征在于：还包括一P型接触区，所述P型接触区与所述N型源区相连，所述源极金属层与所述P型接触区及所述N型源区接触。
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